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Bi置换DyIG溅射薄膜的磁光性能与干涉效应的研究
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《物理学报》1991年 第4期40卷 653-658页
作者:沈德芳 杜腾达 王丽娟 张伟珠中国科学院上海冶金研究所上海200050 
本文报道用高频溅射法在玻璃衬底上制备的Bi置换DylG薄膜具有高的矫顽力和矩形比。在500nm波长附近,法拉第旋转角达7.5°/μm。经热磁记录的磁畴稳定。并发现薄膜表面蒸镀不同金属时,随不同波长和磁光层厚度干涉效应有较大差异。利...
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转炉氧枪的选取与使用
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《炼钢》2003年 第3期19卷 46-50页
作者:李炳源上海沪菱冶金氧枪研究所 
叙述了氧枪喷头几个重要参数的选取和设计、制造中的关键环节及最佳操作原则 。
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专用电路的门阵列自动设计
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《计算机辅助设计与图形学学报》1989年 第1期1卷 21-26页
作者:谢国平 姚林声 陈钧珊 王玉珍中国科学院上海冶金研究所 
本文从集成电路CAD/CAM发展的角度,阐述了门阵列设计的特点。结合具体的电路设计,本文系统地论述了从逻辑输入到逻辑模拟与时间验证、版面设计与自动布局布线、版图数据的自动生成与转换等完整的门阵列自动设计过程。同时,给出了建立基...
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稀土超磁致伸缩器件的设计与应用
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《稀土》1992年 第1期13卷 39-44,60页
作者:金绥更 刘湘林 蒋志红中国科学院上海冶金研究所 
本文对稀土超磁致伸缩材料的性能作了扼要的介绍以后,重点介绍了用此材料进行器件设计中应注意的同题以及已有和可能的应用领域。
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基于遗传算法的VLSI布图规划方法
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《Journal of Semiconductors》2002年 第3期23卷 330-335页
作者:王小港 姚林声 甘骏人中国科学院上海冶金研究所CAD中心上海200050 
提出了一种有效的基于遗传算法的 VL SI布图规划方法 .在染色体的表达中 ,对软模块不同形状和硬模块的布局方向进行了编码 ,并设计了有效的启发式解码方法进行解码 .测试结果表明 。
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高效率PBRS InGaAsP/InP LED的研究
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《发光学报》1992年 第2期13卷 136-144页
作者:郭康瑾 陈启玙 徐少华 陈瑞璋 张晓平 肖德元 朱黎明 胡道珊 冯培均中国科学院上海冶金研究所上海200233 
用于单模光纤系统的平面隐埋脊型(PBRS)InGaAs P/IuP DH LED已研制成功.本文对材料和器件设计作了简要描述.异质结晶体系采用二次液相外延生长,器件具有斜胶面受激抑制结构和平面隐埋脊型有源区,用激光焊接金属化封装技术使器件与单模...
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化学模式识别优化方法及其应用
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《科学通报》1997年 第8期42卷 792-796页
作者:陈念贻 李重河 钦佩中国科学院上海冶金研究所上海200050 
用表征复杂化学反应系的不衡态或宏观化学动力学的无量纲数群张成多维空间,以处理材料制备或工业生产优化工作中的数据,结果表明:优化区和作业区的拓扑关系有4种类型. 采用包括逆映照和未探优化区搜索方法、超平面识别法在内的模式识别...
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158MHz GaAs声表面波固定延迟线的研制
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《Journal of Semiconductors》2000年 第1期21卷 93-96页
作者:李洪芹 夏冠群中国科学院上海冶金研究所上海200050 
报道了GaAs声表面波(SAW)固定延迟线的设计方法和SAW 器件金属剥离制造新工艺.研制出GaAs SAW 延迟线,典型参数为:中心频率158MHz,插入损耗低于55dB,延迟时间1.5μs.
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自组织神经树模型及其在含F铋系高温超导体制备中的应用
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《材料工程》1994年 第6期22卷 23-24,22页
作者:蔡煜东 刘洪霖 杨兵 陈念贻中国科学院上海冶金研究所 
将自组织神经树应用于含F铋系高温超导体制备条件的识别、预报,结果表明,神经树的判别成功率效高,因此该方法可用于材料设计等高层次知识处理领域。
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SZY-A智能离子泵控制器研制
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《真空》1994年 第4期31卷 18-21,6页
作者:曹德福 陈建华 何雪海 仇华兴 马兴华上海冶金所上海真空泵厂中科院高能物理所 
本文介绍了用MC-51单片机及其外国电路组成离子泵智能控制器的特点,主要技术性能,设计指导思想,系统的软硬件设计及对整机可靠性采取的技术措施等。
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