摘要：在用模式识别、人工神经网络法总结ＰＴＣ和Ｖ－ＰＴＣ材料诸性能与其配方及工艺间关系基础上，建立了能检索和预报ＰＴＣ和Ｖ－ＰＴＣ材料性能与其配方及工艺间双向关系的专家系统ＰＶＰＥＣ。该系统将为ＰＴＣ和Ｖ－ＰＴＣ材料优化设计提供有效的辅助手段。

摘要：应用急冷技术制成非晶态合金薄带的研究工作，目前在国内发展较快．随着产品需求量的增加，新工艺、装备、技术研究必须由实验室走向工业生产．本文介绍 ５０ ｋｇ级非晶薄带制取装置．该设备设计结构独特，技术先进，是目前我国容量较大、功能较全的非晶薄带制取装置之一．在该装置上已获得Ｆｅ基和ＦｅＮｉ基非晶合金宽带，产品性能良好．

摘要：用化学键参数与模式识别-人工神经网络方法相结合,研究了若干类型的卤化物二元相图中固溶体的形成规律,这些规律构成了新材料设计专家系统的基础,该专家系统的作用之一是对未知卤化物系固溶体形成情况作计算机预报。

摘要：介绍了发射激光脉冲用的高速ｐｎｐｎ闸流管的设计、制造方法及参数测试结果。该器件可用于激光通信、引信（引爆）、测距、小型雷达、模拟射击、游戏枪、车辆防碰撞等方面，也可用于各种脉冲电源及脉冲开关。

摘要：本文提出的图形变换方法是一种新的带参量的图形变换方法,已在GDL图形处理系统中实现。

摘要：给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与衬底之间的界面共格度接近干零，而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格，表明多量子阱结构有较好的结构完整性．缓冲层与衬底之间有晶向偏角，而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角．在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰．多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小２０％～３０％，说明生长过程中存在表面原子的逃逸，致使样品的不同部位存在组份、厚度的不均匀和局部的应变。还讨论了Ｘ射线衍射仪与双晶衍射仪在测定多量子阱结构时的差别．

摘要：针对转炉低硅铁水炼钢成渣困难,渣量少不利于脱磷,容易产生粘枪、粘烟罩等问题,在吹炼过程中加入适量熔剂,枪位稍高于正常含硅铁水炼钢,设计化渣效果好、喷溅少的多孔喷头。低硅铁水炼钢化学热减少,可减少矿石、废钢用量,保证熔池金属正常的升温速度。低硅铁水炼钢可以实现少渣炼钢,有利于减少石灰消耗和提高金属收得率。

摘要：提出了一种新的减小硅集成电感衬底损耗的方法 .这种方法是直接在硅衬底形成间隔的 pn结隔离以阻止螺旋电感诱导的涡流 .衬底 pn结间隔能用标准硅工艺实现而不需另外的工艺 .本文设计和制作了硅集成电路 ,测量了硅集成电感的 S参数并且从测量数据提取了电感的参数 .研究了衬底结隔离对硅集成电感的品质因素 Q的影响 .结果表明一定深度的衬底结隔离能够取得很好的效果 .在 3GHz,衬底 pn结隔离能使电感的品质因素 Q值提高4 0 % .

摘要：对早期开发的铝栅ＣＭＯＳ４．１９ＭＨｚ钟电路和近期研制的硅栅ＣＭＯＳ４．１９ＭＨｚ钟电路进行了详细分析比较。随着工艺技术的不断提高和设计改进，使得电路在降低功耗、减小面积方面更加完善，从而提高性能价格比。

摘要：从非平衡载流子的扩散 -复合理论出发 ,提出 PIN多结探测器材料结构 ,并建立了理论模型进行定量计算 ,从理论上解决了不能同时兼顾增大量子效率与光电增益和降低噪声的矛盾。利用该模型对 Ga In As Sb材料体系作了数值模拟 ,单结器件性能的计算值和实测值基本吻合 ,并根据多结器件模拟结果设计了工作于2 .4μm波段的 Ga In As Sb