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采用不同工艺的CMOS钟电路分析及设计
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《半导体技术》1997年 第3期13卷 33-36页
作者:余宽豪 须国宗中国科学院上海冶金研究所微电子学分部 
对早期开发的铝栅CMOS4.19MHz钟电路和近期研制的硅栅CMOS4.19MHz钟电路进行了详细分析比较。随着工艺技术的不断提高和设计改进,使得电路在降低功耗、减小面积方面更加完善,从而提高性能价格比。
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PVPEC:PTC和V-PTC材料优化设计专家系统
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《计算机与应用化学》1996年 第1期13卷 39-42页
作者:陆文聪 朱兴文 阎立诚 陈念贻上海大学化学系中国科学院上海冶金研究所 
在用模式识别、人工神经网络法总结PTC和V-PTC材料诸性能与其配方及工艺间关系基础上,建立了能检索和预报PTC和V-PTC材料性能与其配方及工艺间双向关系的专家系统PVPEC。该系统将为PTC和V-PTC材料优化设...
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晶闸管脉冲装置技术要点
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《电力环境保护》1993年 第1期9卷 47-51,57页
作者:张炜明上海冶金设备研究所 
晶闸管脉冲装置的关键有三:晶闸管的串联触发保护,脉冲变压器的设计制造和成套装置的控制。本文阐述前两个问题,着重说明串联晶闸管的触发要求和脉冲变压器的铁心去磁。
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近红外可调式磁光隔离器
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《中国激光》1990年 第1期17卷 18-22页
作者:虞志强 宋慧德 张冬喜 刘公强 刘湘林 傅方耀上海交通大学应用物理系 中国科学院上海冶金研究所 
研制了近红外可调式磁光隔离器。计算了亚铁磁性材料磁光旋转的色散关系;设计了可调式磁场系统。有效地改善了磁光晶体的温度特性,外界强磁场和时间老化等因素对磁光隔离器性能的影响;降低了晶体加工的精度要求,提高了磁光隔离器的实用...
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耐蚀钛合金研制的模式识别专家系统
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上海钢研》1993年 第5期 9-11页
作者:张津徐 方平伟 李明 陈念贻上海钢铁研究所 上海冶金研究所 
将模式识别方法与专家系统技术相结合,建立小型专家系统,TAPRES。用于耐腐蚀钛合金研制方面过程中的成分设计的优化。在电解二氧化锰用钛合金的研制方面得到了应用。
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EHMO和模式识别法研究芬太尼衍生物的构效关系
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《高等学校化学学报》1993年 第9期14卷 1305-1307页
作者:陆文聪 阎立诚 朱友成 陈凯先 陈念贻上海科学技术大学化学系上海201800 中国科学院上海药物研究所 中国科学院上海冶金研究所 
自Hansch等创立QSAR法以来,药物构效关系的研究已获得较大的进展。本文将模式识别法用于芬太尼衍生物构效关系的研究,将该类药物的分子结构看作与生物活性具有对应关系的表现形式——模式,以药物分子结构中有关取代基的多个量子化学参...
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大型转炉低硅铁水高效吹炼的研究
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《钢铁研究学报》2006年 第12期18卷 10-14,26页
作者:杨文远 吴文东 王明林 王英均 陈幼禄 郁祖达钢铁研究总院冶金工艺研究所北京100081 宝山钢铁股份有限责任公司炼钢厂上海201900 
为了解决转炉低硅铁水炼钢化渣困难和提高转炉钢产量,设计了新的5孔喷头并使氧流量由5万m3/h提高到6万m3/h。在炼钢过程中加入合成渣,调整炉渣成分。解决了低硅铁水炼钢粘枪、粘烟罩、脱磷困难等问题。增加了钢产量,提高了金属收得率,...
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熔融织构 YBa_2Cu_3O_x 样品的制备工艺、结构特性及物理性能
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《材料科学进展》1992年 第6期6卷 491-494页
作者:魏旺水 罗乐 张永红 龚尚敏 章岚 胡素辉中国科学院上海冶金研究所上海市200050 
在无特殊设计的温度梯度条件下,用熔融织构法制备了高电流密度的 YBCO(123)块样。组织分析表明,样品由厚度约为10μm 的薄片晶粒,按 c 轴相互平行的方式定向排列而成,晶粒长度达1cm。在77K,5T 下,直流传输电流密度达40kA/cm^2。钉扎势(7...
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压电晶体双晶片汞传感器
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《应用科学学报》1994年 第1期12卷 53-56页
作者:李光云 陆新根 王科峰 杜根娣中科院上海冶金研究所华南师范大学量子电子学研究所 
设计了新型的压电晶体传感器探头,使参考晶片与传感晶片同时直接接触待测气体.试验了使用该结构的压电晶体双晶片汞传感器的测汞性能和对水份干扰的影响.实验结果表明:在相当大的范围内.参考晶片接触待测气体并不影响传感器对汞蒸...
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为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型
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《Journal of Semiconductors》1994年 第9期15卷 611-616页
作者:牛国富 阮刚复旦大学微电子学研究所中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 
本文提出了一个为SIMOXSOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0×1018cm-2剂量范围和50—300keV能量范围.模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好.本模型对SIMOX...
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