摘要：本文用线性插值和介电常数的计算模型，得到了ＧａＩｎＡｓＳｂ 四元系２．４μｍ探测器材料的组份及其折射率。将传统的ｐｉｎ ＧａＩｎＡｓＳｂ 探测器结构置于两组ＡｌＡｓＳｂ／ＧａＳｂＢｒａｇｇ 反射镜之间，可以得到接近１ 的量子效率。本文用传递矩阵方法（ＴＭＭ） 计算了ＡｌＡｓＳｂ／ＧａＳｂ Ｂｒａｇｇ 反射镜的反射率与波长及反射镜个数的关系，并对探测器的结构进行了设计，讨论了吸收系数与波长的函数关系对探测器量子效率所产生的影响。

摘要：设计和制作了 InP/InGaAsP 单输入光波导,多输出光波导,和光栅的单片集成波长分离器件,文中给出了器件的设计参数,以及制作工艺,并给出了该器件的测试原理图。

摘要：利用正交实验设计，研究了碳化硅薄膜的防水汽扩散性质。通过测试水汽在碳化硅薄膜中的扩散速率，初步确定了四种沉积参数影响碳化硅薄膜防水汽扩散能力的规律。实验发现，射频频率的变化对碳化硅薄膜的防水汽扩散能力影响最大，气体流量比次之，而功率和气体压力的变化影响较小。

摘要：用电化学阻抗谱技术研究和评定涂层的防蚀性能,在国内外都相当活跃,经常有研究报导和综述性文章。但涉及到的大都是较薄的涂层。对于近年发展较快的厚浆型重防腐蚀涂料,应用这项技术的报导很少。目前重防腐蚀涂料的主要品种有(1)环氧聚酰胺厚浆型涂料,如702环氧富锌底漆,842云铁环氧中间层漆和各色环氧聚酰胺面漆。

摘要：从岩层成层组合关系、构造条件、褶皱条件等诸多方面论及西南地区岩溶发育的一般规律和特征。针对岩溶发育的不同情况提出了以揭顶、盖顶（板）、拱、梁、柱、填、换等特殊处理技术措施对岩溶地区建筑物地基进行处理。

摘要：研究了超低碳不锈钢在沸腾稀硫酸中的阳极行为和保护效果,结果表明阳极保护后腐蚀速度降低千倍。详细地测定了不锈钢在98％和93％硫酸中的阳极过程和保护效果。提出合理选用参比电极和阴极材料的要点。选用铂作为参比电极,对铂电极的性能及其电位进行了深入的研究。自研的SNW—2不锈钢作为主阴极材料具有理想的耐腐蚀性能和机械加工性能,也被用于LSB高温浓硫酸泵等处。最后,阐述了国产和进口的阳极保护不锈钢管壳式酸冷却器在硫酸厂的使用情况和应注意的事项。

摘要：阴极保护一向被认为是经济有效并且安全可靠的防腐蚀技术.然而,这里介绍的一个实际案例说明,如果阴极保护电源与受保护结构之间的接线不正确,反而会加剧腐蚀.这个教训提醒我们,在阴极保护的设计和施工中,都必须十分注意技术细节,避免失误.

摘要：结合690合金传热管国产化需要,就关键元素C、热变形、冷变形、热处理等关键因素对690合金晶粒尺寸的影响进行模拟研究,结果表明,(1)当C含量大于0.020%时,690合金晶粒细化明显;(2)足够的热变形及冷变形量是保证690合金晶粒细化的重要保证;(3)固溶温度对690合金晶粒尺寸影响显著,为了保证较小的晶粒尺寸,690合金固溶温度应不高于1100℃。在以上研究基础上,制定合理的生产工艺,国产化690合金传热管材可以达到第三代核电工程对其晶粒度及其极差的要求。

摘要：目前，ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）材料的一个主要用途是用来制作抗辐照电路，本文以ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐｅｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）技术为主，详细论述了ＳＯＩ材料和器件（ＭＯＳＦＥＴ）的辐照特性及其机理，包括总剂量、瞬时和单粒子效应，并以总剂量效应为主。经过恰当的加固工艺和优化设计，可以制造出优良的抗辐照集成电路。

摘要：在C/C复合材料表面采用等离子喷涂ZrB_2基陶瓷涂层是提高复合材料抗氧化性能的理想途径。为有效防止热裂纹的产生、设计性能更优的材料,基于数值模拟,通过合理的模型,采用间接顺序热结构耦合,可预测涂层在沉积过程中由于热失配引起的宏观残余应力的大小和分布。结果表明,径向应力是残余应力的主要表现形式;较厚的粘结层能够有效缓解材料的热物性差异;涂层的厚度为0. 5 mm时能够保证涂层表面不会因为受压而开裂的情况下在界面处的残余应力较小;涂层体系的材质倾向于导热系数较高、热膨胀系数较低的ZrB_2-30%SiC(体积分数)材料,以保证涂层在边缘不会有太大的拉应力而产生翘曲。