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外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术分析: 收藏
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引用; 《集成电路应用》2023年第7期40卷 38-40页; 作者：王晓军上海华虹挚芯电子科技有限公司上海202210; 阐述外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术,包括IGBT器件的特点,IGBT背面FS层的设计技术,IGBT产品工艺流程设计。探讨在FS-IGBT背面减薄之后,背面硼离子注入之前,用四探针测试芯片背面方块电阻来控制背面发射结发射效率,实...; 阐述外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术,包括IGBT器件的特点,IGBT背面FS层的设计技术,IGBT产品工艺流程设计。探讨在FS-IGBT背面减薄之后,背面硼离子注入之前,用四探针测试芯片背面方块电阻来控制背面发射结发射效率,实现背面FS层的高精度控制。; 来源：详细信息评论

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