摘要：　表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe(CZT)探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。本文比较了探测器表面的物理和化学钝化工艺:采用H2O2溶液和KOH KCl溶液对CZT样品进行湿化学钝化处理,采用RFPCVD法在CZT样品表面沉积类金刚石薄膜(DLC)进行物理干法钝化。借助俄歇电子能谱(AES)和显微拉曼光谱以及ZC36微电流测试仪等手段研究了CZT表面组成与器件电学性能之间的关系。AES结果表明KOH KCl溶液钝化可以改善CZT样品表面的化学组分比,H2O2溶液钝化可以将表面富Te层转化为高阻氧化层,钝化前后的I V特性曲线表明两种化学钝化方法均可以有效地减小器件表面漏电流,达到满意的钝化效果。CZT样品表面物理钝化通过在样品表面沉积DLC薄膜加以实现,显微拉曼光谱表明CZT表面钝化层是高sp3含量的DLC薄膜,AES深度剖析表明DLC薄膜可以有效阻止CZT内部元素的外扩散,并且DLC薄膜内部C元素向CZT内部的扩散也是比较低的。DLC薄膜钝化后的CZT共面栅探测器表面栅距25μm的栅间电阻可以达到12GΩ,有效地降低了器件的表面漏电流。

摘要：对性能稳定的彩色薄膜有机EL器件进行了研究。其中绿色有机器件的半亮度寿命为14000小时(初始亮度100cd/m2) ,已达到实用化的要求。红色、蓝色和白色器件的半亮度寿命(初始亮度100cd/m2)分别达到了3750、1016和2850小时。在得到稳定的绿色有机薄膜电致发光器件基础上 ,对矩阵显示屏及动态显示技术进行了研究。得到了面积为48mm×30mm、分辨率为2线/mm的96×60象素矩阵显示器 ,其中单位象素的有效发光面积为0.4mm×0.4mm ,单元间隙为0.1mm。并设计了有效的驱动和控制电路 ,实现了无“交叉效应”的、高清晰度的动态图形显示。显示器在1/64的驱动占空比下的显示亮度大于100cd/m2,屏的功耗为0.6W。

摘要：在得到稳定的绿色有机薄膜电致发光器件的基础上 ,对矩阵显示屏及动态显示技术进行了研究。得到了面积为 4 8mm× 30mm、分辨率为 2线 /mm的 96× 60像元矩阵显示器 ,其中单位像元的有效发光面积为 0 .4mm× 0 .4mm ,单元间隙为 0 .1mm。设计了有效的驱动和控制电路 ,实现了无“交叉效应”、高清晰度的动态图形显示。显示器在 1/ 64的驱动占空比下的显示亮度大于 10 0cd/m2 ,屏的功耗为 0 .6W。