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检索条件"机构=上海大学材料科学与工程学院新型显示技术与应用集成教育部重点实验室"
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基于深蓝光激基复合物构筑的OLED植物照明光源
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《光学学报》2022年 第4期42卷 163-173页
作者:孙阿辉 李耀召 陈果 魏斌上海大学材料科学与工程学院上海200072 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072 上海大学医学院上海200444 
为了得到可应用于植物照明且具有红蓝光谱的有机发光二极管(OLED),采用两种典型的载流子传输材料,N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-(1,1′-联苯)-4,4′-二胺(NPB)和1,3,5-三(1-苯基-1 H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi)以界面接触或掺杂的...
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耐高温透明聚酰亚胺的结构设计与性能预测
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上海大学学报(自然科学版)》2022年 第5期28卷 794-812页
作者:张涵 陈龙龙 张建华 蒋海珍上海大学材料科学与工程学院上海200444 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072 上海大学理学院上海200444 
研究近年来国内外耐高温透明聚酰亚胺相关文献,基于从分子结构分析,总结了制备耐高温透明聚酰亚胺的多种常用方法,包括引入三氟甲基、脂环结构、非共平面结构、大体积侧基和无机材料,并从分子动力学模拟和机器学习两方面分析了聚酰亚胺...
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新型功函数测量系统的建立及其应用研究
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《光电子.激光》2007年 第4期18卷 454-456,466页
作者:黄伟 刘善鹏 张浩 曹进 朱文清 蒋雪茵 张志林上海大学材料科学与工程学院新型显示技术与应用集成教育部重点实验室上海201800 
采用接触势差法,设计并组建了功函数测量系统。该系统由信号发生单元、振动单元和检测单元组成,信号发生单元输出低频正弦信号使参比电极振动,调节振动单元偏压使检测单元输出信号为零,通过计算加载偏压和标准参比电极的偏差可得样品功...
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含有吲哚并咔唑基团的热激发延迟荧光双极性主体材料的设计、合成及应用
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《有机化学》2019年 第2期39卷 449-455页
作者:叶中华 杨佳丽 凌志天 赵艺 陈果 郑燕琼 魏斌 施鹰上海大学材料科学与工程学院上海200072 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072 
设计合成了一种含吲哚并咔唑基团的有机电致发光主体材料10-苯基-10-(4-(7-苯基吲[2,3-b]咔唑-5(7H)-基)苯基)蒽-9-(10H)-酮(DphAn-5PhIdCz).通过核磁氢谱对其结构进行了表征,测试了它的紫外-可见吸收波长、荧光发射波长、荧光量子产率...
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含Silole共轭聚合物的光电性能
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《化学进展》2012年 第2期24卷 377-384页
作者:刘治田 胡钊 沈陟 胡双强 王子兴 戚欣武汉工程大学材料科学与工程学院武汉430074 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072 
Silole是一类含硅杂环戊二烯,近年来,由于其独特的结构特性、分子的可设计性及多样性,在光电领域得到越来越多研究者们的关注。某些silole小分子在有机发光二极管中用作发光层和电子传输层有出色的表现,但近来对含silole聚合物的研究也...
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大π共轭分子四苯基二苯并荧蒽及二茚并苝的有机光电器件研究进展
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材料导报》2020年 第5期34卷 148-157页
作者:余俊乐 郑燕琼 唐杰 杨芳 王超 魏斌 李喜峰 石继锋上海大学材料科学与工程学院上海200072 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072 上海市新型显示设计制造与系统集成专业技术服务平台上海200072 
近年来,有机半导体的开发及应用推动了有机光电器件的迅速发展。其中小分子半导体器件相比聚合物半导体器件具有更好的重现性和可控性,制备工艺更多样化,界面调控更简单且机理更清晰。然而,小分子半导体在成膜设备和成膜工艺方面要求相...
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基于接触势差法的表面功函数测试装置
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《发光学报》2007年 第4期28卷 505-509页
作者:张浩 刘善鹏 黄伟 委福祥 曹进 蒋雪茵 张志林上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室上海200072 上海大学材料科学与工程学院上海201800 
利用接触势差法自行设计开发了一种新型的表面功函数测试装置。基本原理是参考电极与样品之间形成电容,计算流过参考电极与样品之间的电流,通过确定电流的零点来获得功函数。此测量仪器由函数发生、功率放大、振荡器等多个功能模块组成...
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用于LED驱动芯片的500V级SOI高压器件的研究
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《功能材料与器件学报》2012年 第6期18卷 467-472页
作者:张斌 朱文清 王中健上海大学材料科学与工程学院上海200072 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所汽车电子工程中心上海200050 
本文针对现代LED驱动芯片对高压元器件的需要,结合SOI衬底技术在功率集成电路上的优势,分析了SOI高压器件的耐压原理,提出500V级SOI高压器件设计方案。在SOI衬底上设计了具有40μm线性渐变掺杂漂移区的LDMOS结构,对器件性能进行了仿真,...
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