摘要：随着集成电路设计技术及其应用发展,我国在低压、低功耗模拟集成电路的设计和应用方面取得了较好的成绩。但是,由于多种因素的限制,现阶段我国低压低功耗模拟集成电路设计与国际先进水平相比仍存在较大差距。基于此,本文对低压低功率模拟集成电路设计特点展开分析,并对低压低功耗模拟集成电路设计的未来发展进行简要描述,以期可以更好地应用于我国各行各业中。目前,我国CMOS工艺水平不断提高,随着芯片应用频率的逐渐提高,低压低功耗集成电路设计的选择成为当前关注的焦点,尤其是CMOS技术的应用效果更为重要。

摘要：锁相放大技术能够解决噪声干扰背景下集成电路的信号提取需求,其应用方式对相关行业的实际应用操作具有重要的实践价值。因此,基于锁相放大技术,进行集成电路电信号的光学探索,介绍集成电路的电光探测技术相关原理应用,简要剖析锁相放大技术的信号提取过程,设计基于锁相放技术、共光路干涉仪的光路系统,选定样品后展开相关实验,以期为锁相放大技术的应用提供更广阔的思路。

摘要：为解决传统网络接入方式的弊端,本文以吉比特无源光网络(gigabitˉcapable passive optical network,GPON)的新型接入网方案为例,对其展开分析,并提出了提前对当地网络需求进行计算,提升光线路终端(optical line terminal,OLT)设备位置安放的科学性等解决措施,以期为相关工作人员提供参考。

摘要：对一种自刷新检纠错电路(EDAC)进行了研究与设计,并应用于单字节写操作SRAM中,提高了SRAM抗单粒子翻转效应(SEU)性能。EDAC采用hamming(12,8)编译码,实现"纠一检一"功能,数据宽度为32 bit的SRAM的EDAC由4组hamming(12,8)编译码电路组成,实现单字节操作,同时最多可纠4 bit错误。外围逻辑电路将EDAC电路纠错后的正确数据回写到SRAM对应的地址中,实现刷新功能,减少了SRAM的错误累积。同时,利用了Synopsys公司的EDA数字综合工具design compiler和Cadence公司数字后端工具Encounter在130nm Silicon-On-Insulator(SOI)工艺上进行设计,并结合SRAM的verilog模型使用Cadence公司的仿真工具NClaunch仿真验证了该EDAC电路的可行性。SOI工艺具有很好的抗辐射效果,也增强了EDAC的抗SEU性能。