摘要：提出了电镀添加剂设计的概念,给出了锡基电子电镀添加剂设计的基本方法。由于电镀添加剂作用的复杂性,要得到性能优异的添加剂,必须从分子水平上对添加剂进行设计,而添加剂在镀层中的夹杂是通过化学夹杂和物理夹杂引起,从分子水平上设计的低吸附型镀锡添加剂可以减少有机分子的夹杂。

摘要：电子产品的微型化趋势使芯片的三维集成概念应运而生,并通过硅通孔(TSV-through silicon via)技术得以实现.为了测试TSV中互连铜(Cu-TSV)的力学性能,提出了1个简便、易于操作的单轴微拉伸方法.利用有限元分析优化设计Cu-TSV微拉伸试样的支撑框架结构,有效减小试样在制作及操作过程中的损伤;种子层采用溅射Ti膜取代传统的溅射Cr/Cu膜,减小了电镀过程中的应力,避免了对种子层碱性刻蚀时对试样的腐蚀;采用单轴微拉伸系统对优化设计与制备的Cu-TSV微拉伸试样进行测试.经测试得到的Cu-TSV的杨氏模量与抗拉强度为25.4～32.9GPa和574～764MPa.

摘要：根据客户需求自主开发全自动晶圆电镀设备,研究了基于Lab VIEW模块化控制系统的设计,完成了多线程协调控制以及多线程间数据交换技术,实现了对晶圆自动化电镀设备的协调控制,达到预期设计的目的。