摘要：本文根据器件芯片设计和解剖实例所得到的电路结构及电特性参数,对SW431内部各组成部分作了详尽分析.给出了器件的实测结果.扼要介绍了器件在并联、串联稳压电源以及开关电源中的典型应用.

摘要：一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低其成本。 实验用的衬底硅单晶片是电阻率大体相同(P≈80Ωom)的N-Si。实验时,从同一硅单晶锭切下硅片,用55K低温霍尔法和迭代法抽样检测其杂质补偿度K,再将和抽样检测样品相邻的硅片,经严格抛光清洗之后投片生产晶体管。每次生产条件严格保持相同。对生产出的晶体管,统测其耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)及其合格率ξ,η等。合格率ξ和η分别定义为耐压≥某额定耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)的成品数对总成品数之比。

摘要：本文分析了硅功率管管芯背面金属处理的结构设计原则,介绍了用多层金焊薄膜(Au/Ni/Cr)作为新的金属化处理方案及实际使用效果。

摘要：本文提出了一种用于测量集成电路塑封附加应力的十字型压阻测试图形设计,用它可同时测量芯片平面内的两个正应力及剪切应力,比现有的几种方法更加合理可靠.用这种测试器件对国产塑封料和进口塑封料进行了对比应力测试,所得结果为国产塑封料配方及塑封工艺的改进提供了性能参数.