文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

一种瞬态增强的无片外电容LDO设计: 收藏
分享
引用; 《微电子学》2022年第3期52卷 383-387页; 作者：沈洁王倩陈后鹏倪圣兰宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验上海200050 中国科学院大学微电子学院北京100049 上海神经形态与人工智能SoC技术发展与创业平台上海200090; 针对无片外电容型低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,基于40 nm CMOS工艺设计了一种带瞬态负载变化感知的无片外电容型LDO电路。采用有源前馈频率补偿,实现了电路稳定;瞬变检测电路感应负载的变化,为功率管栅极提供充、放电通路,...; 针对无片外电容型低压差线性稳压器(LDO)瞬态响应差的问题,基于40 nm CMOS工艺设计了一种带瞬态负载变化感知的无片外电容型LDO电路。采用有源前馈频率补偿,实现了电路稳定;瞬变检测电路感应负载的变化,为功率管栅极提供充、放电通路,减弱了输出电压波动。仿真结果表明,负载电流在0~100 mA范围内,该LDO的输出过冲电压和下冲电压分别为100 mV和140 mV,稳定时间在1μs以内。全负载电流范围内,瞬态性能大幅提升。; 来源：详细信息评论

限定检索结果