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不同线宽电流阻挡层的GaN基LED芯片光电特性研究: 收藏
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引用; 《传感器与微系统》2024年第10期43卷 38-41页; 作者：田媛刘叶锋陈晓冰王忠东闫晓密广西科技师范学院数学与计算机科学学院广西来宾546199 普瑞(无锡)研发有限公司江苏无锡214000 上海科技大学量子器件中心上海201210; 发光二极管(LED)由于具有低功耗、小体积、宽光谱范围等优点,被广泛应用于可见光通信、光电医疗、快速无损检测等微系统领域。为了进一步提高LED的发光效率,在图形化蓝宝石衬底上制备了具有不同线宽电流阻挡层(CBL)的氮化镓(GaN)基LED,...; 发光二极管(LED)由于具有低功耗、小体积、宽光谱范围等优点,被广泛应用于可见光通信、光电医疗、快速无损检测等微系统领域。为了进一步提高LED的发光效率,在图形化蓝宝石衬底上制备了具有不同线宽电流阻挡层(CBL)的氮化镓(GaN)基LED,并研究其光电特性。结果表明,在120mA测试电流作用下,由于CBL的插入增大了有源层有效光发射区域的电流密度,减少了p电极(p-pad)下的寄生光吸收,LED芯片的辐射功率与光电转换效率随着CBL线宽的增加而单调增加,在CBL线宽设计为13μm时,辐射功率与光电转换效率达到最大;正向电压(VF)随着CBL线宽的增加略有增加,表明绝缘的CBL层增大串联电阻。本文为CBL线宽的选择提供了新思路,可有效提高LED的发光效率。; 来源：详细信息评论

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