摘要：针对同步整流电路中屏蔽栅沟槽型场效应晶体管(Shielded Gate Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,SGT MOSFET),在工艺加工过程中形成的热氧结构导致控制栅极电压尖峰震荡幅度大、电路能量转换效率低等问题,提出了一种SGT MOSFET电压尖峰震荡的优化设计。采用电路仿真的方法,以分析电容对电路电压开关震荡的影响;采用拉偏结构参数的方法,以确定器件的工艺参数;采用增加湿法刻蚀屏蔽栅多晶硅和注入多晶硅两道工艺的方法,以消除热氧结构,减小器件电容,从而减小器件在电路中的电压尖峰震荡幅度和时间,提升电路的能量转换效率。实验结果表明,优化设计后的栅漏电容减小了约43%,控制栅极电压的尖峰震荡降低了约56%,电路能量转换效率提升了约4.6%,器件剖面扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)图表明,所提设计方法可以消除SGT MOSFET的热氧结构。

摘要：中空保险丝作为电路发生故障或过电流时的保护器件,具有反应灵敏、工艺简单、成本低等优点,备受市场青睐。但现有贴片中空保险丝结构单一,可靠性一般,限制了贴片中空保险丝的广泛应用。为改进保险丝器件的连接强度及可靠性,提出了压埋式设计和斜拉式设计。特别是将熔丝可变角度的设置于空腔中这一独特的结构设计。相同产品尺寸,斜拉式产品可装载更长熔丝;相同阻值要求,采用相同规格的熔丝,斜拉式产品体积可做到更小;相同产品尺寸,相同阻值要求,斜拉式产品的熔丝截面大于常规产品熔丝截面,进而允许导通更大电流,使得产品具备更强的耐脉冲能力。

摘要：提出了一种三层外延(Epitaxy,EPI)结构的屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(Shielded Gate Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SGT MOSFET)设计方案。利用Sentaurus TCAD工具,将单层EPI结构调整为三层EPI结构,通过控制变量法拉偏三层EPI结构的外延层厚度、电阻率等参数,仿真分析其参数变化对SGT MOSFET性能的影响。仿真结果表明,在相同的原胞尺寸条件下,与单层EPI结构SGT MOSFET相比,三层EPI结构SGT MOSFET通过横向电场调制作用降低了纵向电场的峰值,击穿电压提高9.5%,比导通电阻降低15.6%,有效地提高了器件的电学性能。