摘要：】阐述了饱和铁心型高温超导故障电流限制器（ＳＣＨＴＳＦＣＬ）的工作原理，推导出设计限流器参数的公式。采用（Ｂｉ，Ｂｂ）２２２３／Ａｇ带材，完成了１０ｋＷ／５００Ａ级故障限流器的设计。计算结果表明：该限流器无论结构尺寸和运行特性，还是对Ｂｉ系带材的要求，都是可行的。

摘要：在电网中加入超导限流器是限制电网短路电流的一种新技术。超导限流器的形式很多,不同工作原理的限流器其限漉特性也会有所差异,因此准确测量超导限流器的限流性能对研制超导限流器具有十分重要的意义。文中根据超导限流器的主要性能参数,设计了一套限流性能检测实验装置,该系统设计为三相380V/500A,可以模拟任意一相对地短路故障,能够检测出限流器正常阻抗、故障阻抗、响应时间和恢复时间等限流特性参数。

摘要：对两类班级实施双语教学,采用旨在培养学生用英语获取物理知识,训练科学研究思维能力及表达能力的多样化、细致化的教学方法和手段,对不同阶段的学生精心设计调查问卷来统计、分析教学反馈。双语教学对教师和学生来说既是机遇,更是挑战。具有扎实的专业基础、丰富的教学经验及实用英语的能力的双语教师是进行双语教学的先决条件。要提高教学质量,保证课程不因"双语"而受影响并能加强英语水平,激发学生的学习兴趣,教学过程中必须采用双向式选择,因材施教。总之,必须不断努力,坚持在实践中进行教学反思,探讨合作,促进双语教学的不断发展和成熟。

摘要：石墨炔衍生物比石墨烯具有更多样化的原子结构,因而具有潜在的更丰富的电子结构.通过第一性原理密度泛函理论研究方法系统研究了β石墨炔衍生物的结构稳定性、原子构型和电子结构.本文计算的β石墨炔衍生物系列体系由六边形碳环（各边原子数N=1—10）通过顶点相连而成.对结构与能量的计算分析表明：当N为偶数时,β石墨炔拥有单、三键交替的C—C键结构,其能量比N为奇数时,拥有连续C=C双键的石墨炔衍生物更稳定.计算的能带结构和态密度显示：根据碳环各边原子个数N的奇偶性不同,β石墨炔可呈现金属性（N为奇数时）或半导体特性（N为偶数时）.该奇偶依赖的原子构型和电学性质是由Jahn-Teller畸变效应导致,与碳环各边原子碳链的实际长度无关.计算发现部分半导体β石墨炔（N=2,6,10）呈现狄拉克锥能带特征,其带隙约10 meV,且具有0.255×10~6—0.414×10~6m/s的高电子速度,约为石墨烯电子速度的30%—50%.本密度泛函理论研究表明,将sp杂化碳原子引入石墨烯六边形碳环的边上,可通过控制六边形各边原子个数的奇偶性调制其金属和半导体电子特性或狄拉克锥的形成,为免掺杂和缺陷调控纳米碳材料的电学性质和设计碳基纳米电子器件提供了理论依据.

摘要：随着应用需求的不断提升,SoC设计规模急剧增大,功能日益复杂,性能要求也越来越高,如何缩短验证时间,提高验证效率和质量以缩短芯片的生产时间成为当今SoC设计领域中最为关注的课题之一。FPGA原型验证是SoC设计的有效途径。在流片前建立一个基于FPGA的高性价比原型验证系统成为SoC验证的重要方法,可以及时发现芯片设计中的缺陷和错误,同时进行软件程序设计,进而缩短SoC芯片的开发周期。描述了以ARM为核心处理器的SoC设计的FPGA原型验证平台实现过程,介绍了怎样利用该平台进行软硬件协同验证,并在此基础上移植了uC/OSII嵌入式操作系统,对该SoC设计进行系统级验证。

摘要：就金属_氧化物_半导体(MOS)器件和双极器件混合结构(BICMOS)电路的抗辐照加固技术的设计而言,器件种类多会导致在硅工艺实现上的复杂性和失效问题。就此,提出了一种新的抗辐照加固设计方案。利用MOS器件抗辐照加固工艺的设计规则,完成对双极器件的版图集成,实现BICMOS结构的电路功能。最终,以通信接口类芯片产品中常用的振荡器单元为例进行仿真验证,达到设计要求。

摘要：描述了一种15V/400V高低压兼容的功率MOSFET栅驱动器电路设计。电路内部有三组电源提供供电,逻辑电源供给端口信号输入,低侧通路电源供给低侧端口信号输出,高侧通路电源供给高侧端口输出。片上三组非隔离电源通过从输入部分到低侧通路输出部分、高侧通路输出部分的独立供给,实现传输信号的电平转换。采用介质隔离的工艺技术,解决三组电源的高低压兼容问题。因而,设计重点更多的是聚焦在驱动器内部核心单元高低压转换电路,通过设计分析和仿真验证,实现了高侧通路输出信号相对于输入信号产生400V的电压偏移,低侧通路输出信号与输入信号同步输出。最终,基于XFAB公司的1.0μm工艺线对器件进行加工制造,测试结果显示最高偏移电压达到400V,导通延迟时间为120ns,关断延迟时间为94ns。

摘要：SRAM型FPGA具有设计周期短、开发成本低和可重配置等特性,在大型电子系统设计中应用广泛。伴随SRAM型FPGA在重要领域的深入应用,对其可靠性提出了更高要求。在深入剖析FPGA内部结构的基础上,对SRAM型FPGA的故障类型进行了总结。针对SRAM单元软错误造成的FPGA芯片错误,提出了一种嵌入高可靠CPU和配置存储器,通过重构技术实现在线可修复的新型可容错FPGA结构。

摘要：数字系统通信的不断发展,多种延迟锁相环结构的出现满足了不同应用要求。提出了一种模/数混合结构的延迟锁相环,改善了传统模拟锁相环和传统数字锁相环各自的缺点,在数字系统中作为集成电路模块单元使用。采用TSMC的0.25μm,1P5M,CMOS混合信号工艺进行加工制备,模块单元面积140×190μm2。

摘要：阐述了一种分段式R-2R阶梯结构的D/A转换器电路。它利用数字码控制熔丝电阻网络,有效改善了工艺、温度以及电压等外界因素引起的R-2R阶梯结构匹配特性。依据CSMC的0.5μm,25V,BCD工艺模型进行设计,仿真结果表明12位D/A转换器的INL值为0.21LSB、DNL值为0.35LSB。