摘要：利用量子化学半经验AM1和ZINDO方法研究了巴比妥酸 3 ,4 C60 吡咯衍生物的结构规律和光谱性质 .以全自由度优化几何构型为基础 ,计算了化合物的电子光谱 .对电子跃迁进行了指认 ,分析了光谱红移的原因 ,两类化合物在 40 0nm以上均产生非C60 特征吸收 .同时用INDO/CI SOS方法计算了所设计的体系的二阶非线性光学系数 βμ,其中 βμ 最大可达40 2 3× 10 3 0 esu .体系具有A D A结构 ,其共轭性对光谱和二阶非线性光学系数有较大影响 ,共轭程度越高 ,体系的 βμ 值越大 ,而λmax红移 .与巴比妥酸 3 ,4 C60 吡咯衍生物比较 ,相应的硫代巴比妥酸 3 ,4 C60 吡咯衍生物的 βμ 值较大 .

摘要：设计合成了一种新的具有D π A结构的有机分子 ,9 (4 ,5 二硫甲基 1,3 二硫杂环戊烯 2 甲叉基 )蒽 10 (9H) 酮(C19H14 OS4) .以1HNMR ,FTIR ,元素分析和UV vis进行了表征 .运用Gaussian 98量子化学程序包 ,采用B3LYP密度泛函(DFT)的方法 ,在 6 3 1G(d)水平上对分子的几何构型进行了优化 ,在优化的基础上用TDDFT的方法计算了化合物的电子光谱 ,计算值与实验值基本吻合 .用TDHF的方法计算了它的二阶非线性光学系数 ,与蒽醌相比 ,其第一超极化率 β较大 ,为12 .0 3× 10 -3 0 esu .

摘要：以量子化学半经验方法 PM3优化构型为基础 ,利用 INDO/ CI方法研究了嵌入 1 ,3-方酸的苯螺旋共轭分子的电子光谱 ,同时利用 INDO/ CI-SOS程序计算了它们的二阶非线性光学系数 βijk和 βμ 值 ,从而探索分子结构与电子光谱及非线性光学性质的关系 .理论计算结果表明 :在苯螺旋共轭分子中适当地嵌入方酸后 ,其二阶非线性光学系数增大 .与苯螺旋共轭分子和 1 ,3-方酸的比较表明 ,方酸环处于左端的体系有很好的二阶非线性光学性质 。

摘要：利用量子化学密度泛函理论 (DFT)B3LYP方法 ,在 6 3 1G 基组下对巴比妥酸苯胺取代衍生物体系BA1～BA5进行几何结构优化 .以优化后的构型为基础 ,应用INDO/CI方法进行电子光谱计算 ,并结合实验数据进行了分析 .同时应用完全态求和 (SOS)公式计算二阶非线性光学 (NLO)系数 βμ.设计的系列体系中 βμ 最大值可达到 65 .47× 10 -3 0 esu .进一步探讨了体系的共轭性和烷基取代基链的长度对二者的影响 ,结果表明 ,体系的共轭程度越高 ,烷基取代基的链长度越长 ,体系 βμ值越大 。

摘要：采用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)方法研究了9个新的中氮茚[3,4,5-ab]异吲哚(INI)为给体的染料敏化剂性质.对影响电池效率的光捕获效率、电子注入、染料再生和电荷复合等重要因素与D5和D9染料进行了对比.计算表明,设计的INI系列敏化剂在440–500 nm内有最大吸收峰,表现出明显的电荷分离特征,INI2具有比D9染料更高的最大理论短路电流.Fukui反应指数计算指出INI2的亲核加成最易实现.染料分子在二氧化钛(101)面吸附计算表明,染料INI2以间接注入途径实现电子注入.综合计算结果,中氮茚INI染料有希望作为性能优良的染料敏化剂而得到应用.

摘要：采用量子化学半经验FF/AM1,FF/PM 3,ZINDO -SOS方法 ,讨论了杂环取代对水杨醛缩苯胺结构、电子光谱、非线性光学系数的影响 ,得到这类化合物的特征吸收峰位于 2 94～ 30 3nm ,符合非线性光学材料对透明性的要求 ,且给电性杂环的引入可改善体系的非线性光学性质 。