摘要：为了探究滤波电感、电容、滤波器结构及磁芯材料对逆变器输出波形的影响,文中设计一种LLC型滤波结构。在双极性驱动方式下,LLC型滤波电感、电容参数增大,逆变器输出波形对称性更好。但随着参数持续增大,该滤波结构会引起输出波形起始波动时间延长,波动程度增大,电路阻抗、无功功率增加及波形过矫正。对LC型、LLC型、LCL型三种滤波结构的对比研究结果表明:在电感、电容参数为3 mH和14.1μF时,三种结构都具备较好的滤波特性;LLC型滤波结构具备更好的线路阻抗平衡特性,输出波形对称性更好。研究了铁硅铝、锰锌铁氧体以及非晶纳米晶三种磁芯材料对LLC型滤波特性的影响,发现在参数相同时,磁导率越高波形对称性越差,阻抗变大会导致逆变输出波形畸变。因此,在逆变器滤波设计中应综合考虑电感、电容、磁导率及线路阻抗平衡问题,以提高滤波器的工作性能。

摘要：针对现代设计方法课程传统教学体系的局限性,分析教学改革的紧迫性和必要性,探讨如何将思政教育与产出导向教育融入教学,旨在推动学生在知识、能力与价值方面的协同发展。通过重构教学目标、重塑教学内容、改进教学方法、优化教学评价策略,将思政教育与产出导向教育融入现代设计方法课程教学,教学过程强调思政引领,强化知识传授、能力培养与价值塑造的有机统一,注重培养学生的创新思维、职业素养和社会责任感。实践表明,教学改革显著提升了学生的综合素质,教学质量明显提高。这一改革为培养符合新时代需求的德才兼备型人才提供了有效路径,也为进一步推进教学改革奠定了坚实基础。

摘要：近年来,研究发现锂电池处于高压电场中会发生局部放电现象,且不同健康状态(SOH)电池的放电能力和产生的声音不同。为了解决传统音频设备采集装置的采样速率不足,无法实时网络传输数据的问题,设计了一种基于STM32微控制器的音频采集与即时网络传输硬件装置,并进行试验验证。结果表明:该装置工作稳定,具有一定的参考价值。

摘要：针对传统推挽式逆变器在高压和高功率隔离反馈的不足,提出了一种基于NSI1311的推挽式逆变器隔离升压设计方案。NSI1311作为高性能隔离放大器,利用其优异的隔离性能和高输入阻抗,显著提高了逆变器的电气隔离效果和反馈精度。基于设计要求选出合理的磁芯结构并精确计算了变压器的磁芯参数和线圈匝数,以优化电压升压和能量转换。在全桥逆变设计中,采用单极性SPWM调制技术和LLC型滤波结构,有效降低了开关损耗和输出阻抗,改善了交流输出的波形质量。稳定的DC 316 V和AC 220 V表明,基于NSI1311的设计在反馈调节速度、系统稳定性优于传统光耦隔离反馈方案。此外,该设计还降低了系统成本并减小了变压器体积。研究表明,NSI1311隔离反馈方案为高压高功率逆变器应用的隔离反馈提供了有效的解决方案和技术参考。

摘要：核辐射探测器是一种用于监测辐射水平的仪器,对放射源所辐射出来的高能粒子进行探测。然而,这些探测器在进行探测工作时需要稳定、可靠的电源来确保其正常运行。为了更好地满足不同类型的核辐射探测器对电源的要求,设计了一种基于能谱测量的多路输出精密稳压直流电源。首先,利用EDA软件绘制电源的原理图,然后选择合适的元器件对电路板进行焊接和调试,并使用示波器观测噪声的大小,从而判断电源性能好坏。实验表明六路输出的电压误差范围是(0.07±0.055)V。示波器观测到六路输出电压的噪声范围为(12.46667±2.77609)mV。从测试的电压数据上可以得到,最小电压的电压噪声小于9 mV。该电源性能良好,能够满足半导体核辐射探测的需要,为相关核辐射探测器提供了一个稳定的电源。

摘要：“天环一号”(China Astro-Torus 1,CAT-1)是一个悬浮偶极场磁约束装置,主要用于偶极场等离子体物理实验研究,要求中心悬浮超导磁体在无冷却和无电源条件下稳定悬浮至少5 h。本文设计了超导托举磁体与中心悬浮磁体环耦合的悬浮控制系统,为确保1200 kg、5 MA中心悬浮磁体环稳定悬浮,完成了控制系统的Simulink模型建立和仿真,基于Routh-Hurwitz稳定判据,研究了PID(Proportion-Integral-Derivative)控制策略对稳定控制影响,确定了稳定控制参数选取的范围:理想条件下PD(Proportion-Derivative)控制系统上升时间为0.1545 s、峰值时间为0.6283 s、调节时间0.0848 s。结果表明:基于PD控制能够在较短的时间内将悬浮超导环恢复在预设平衡位置,采用合适的启动方式可极大地降低电路的负载。本结果为悬浮超导悬浮偶极场装置设计研发提供了关键技术支撑。

摘要：银锌锡硒(Ag2ZnSnSe4)是一种禁带宽度为1.4 eV的n型半导体材料.本文提出一种由n型Ag2ZnSnSe4与石墨烯(Graphene)组成的Graphene/Ag2ZnSnSe4诱导p-n结薄膜太阳电池,并借助wxAMPS软件对电池的物理机理和性能影响因素进行模拟研究.模拟结果表明,高功函数的石墨烯与n型Ag2ZnSnSe4半导体接触时,Ag2ZnSnSe4吸收层的前端能带向上弯曲,在n型Ag2ZnSnSe4吸收层表面诱导形成p型Ag2ZnSnSe4反型层,p型Ag2ZnSnSe4和n型Ag2ZnSnSe4组成p-n同质结.模拟发现石墨烯和背接触的功函数会影响载流子的分离、输运和收集,严重影响器件性能,石墨烯功函数达到5.5 eV,背接触功函数不高于4.4 eV,都有利于提高器件性能.Ag2ZnSnSe4吸收层的掺杂浓度主要影响器件的短路电流,而Ag2ZnSnSe4吸收层的体内缺陷对器件整体性能产生影响.在石墨烯和背接触功函数分别为5.5和3.8 eV,Ag2ZnSnSe4吸收层的掺杂浓度和缺陷密度分别为1016和1014 cm–3时,Graphene/Ag2ZnSnSe4诱导p-n结薄膜太阳电池能够取得高达23.42%的效率.这些模拟结果为设计新型高效低成本太阳电池提供了思路和物理阐释.

摘要：薄膜太阳电池技术中研究的热点之一是寻找能够替代碲化镉和铜铟镓硒的吸收层材料,近来具有优异材料和光电特性的硒化亚锗(germanium selenide,GeSe)进入了科研人员的视野.影响异质结太阳电池性能的主要是各功能层材料的材料特性和构筑的器件结构以及结构中异质结界面处的界面特性.本文以GeSe为吸收层,配备了性能稳定的无机材料TiO_(2)和Cu_(2)O分别作为太阳电池的电子输运层和空穴输运层,构筑了结构为FTO/TiO_(2)/GeSe/Cu_(2)O/Metal的异质结太阳电池.选用TiO_(2)和Cu_(2)O作为载流子输运层是因为两者分别与吸收层GeSe形成小的尖峰状的导带带阶和价带带阶,不会妨碍多子输运的同时能有效抑制界面处载流子的复合.接着利用wxAMPS软件模拟分析了有关功能层材料参数和异质结界面特性以及工作温度对太阳电池性能参数的影响,结合实际应用选定相关材料参数,优化后300 K温度下GeSe异质结太阳电池的开路电压Voc为0.752 V,短路电流Jsc为40.71 mA·cm^(-2),填充因子FF为82.89%,转换效率η为25.39%.研究结果表明结构为FTO/TiO_(2)/GeSe/Cu_(2)O/Au的太阳电池有成为高效、低毒和低成本的太阳电池的潜力,同时模拟分析也为设计和制备异质结太阳电池提供一定借鉴.

摘要：在ASIC(专用集成芯片)方案的基础上,选择了以飞思卡尔的***27[1]开发系统为平台,设计了视频采集与传输系统。该文章采用最新H.264的视频压缩标准,完成整个系统的软硬件设计,并成功将其应用于放射源在线监控。

摘要：目前,智能仪器监控程序多数采用"状态变量法",此方法主要应用于MSC-51、MSP430等系列单片机,往往采用多级表格设计思路。其结构复杂,且只适合"单进程"情况,系统进程遇故障恢复能力差。论文提出一种适用于CPLD芯片,采用"功能点"法的监控程序结构。基于CPLD的监控程序具有"多进程"并发执行和系统进程恢复等特点,特别适用于具有模块化设计思想的小型智能仪器系统。