摘要：为实现隔行扫描到逐行扫描的视频格式转换,文中提出了一种时空权重和边缘自适应的去隔行算法,主要包括4个同极性场运动估计、小角度边缘搜索、时空权重计算、自适应插值等.运动估计通过比较同极性场的像素块绝对值差和(SAD)与运动阈值实现运动估计,并且利用前一场的运动信息进行鲁棒性处理,提高运动检测的精度.小角度边缘搜索采用自适应搜索半径的方法实现最小6°的小角度边缘检测.最后,通过时空权重自适应的插值算法实现去隔行处理,取得很好的处理效果.

摘要：研究并提出了一种基于二维访问机制的数据缓存结构（2D Cache）及其更新管理策略．该缓存结构可以在控制硬件存储开销的同时，有效提升可重构系统的数据访存效率．实验结果表明，仅需4 KB的数据缓存开销，可重构系统的访存性能提升了29.16％～35.65％，并且对于不同标准的媒体处理算法都能获得较好的优化效果，具有很好的适应性．芯片实测结果表明，采用所述数据缓存设计方案的可重构系统可以在200 MHz下满足1080p＠30fps的实时解码需求，与国际同类架构相比，性能提高了1.8倍以上．

摘要：提出一种基于C参考模型的MPEG-4解码电路功能验证方法,该方法首先用C语言来描述MPEG-4解码算法的IDCT(InverseDiscreteCosineTransform)、反量化和图像叠加,用HDL(HardwareDescriptionLanguage)语言来描述RTL(RegisterTransferLevel)硬件,然后把这两种模型同时集成到验证环境进行仿真,C模型作为参考模型,HDL模型作为DUV(DeviceUnderVerification),目的是保证HDL模型和C模型的功能一致。验证向量同时加载到C和HDL模型上,然后比较这两个模型的每一步功能是否一致。该方法已经成功用到一款多媒体SoC(Sys-temonChip)的验证中,结果表明该方法相对于传统的方法(仅进行HDL模型仿真)能更全面验证两种模型的功能一致性,缩短验证时间,节省人力资源,尽快发现HDL代码中的bugs和提高验证质量。

摘要：为了研究p型栅氮化镓高电子迁移率晶体管(p-GaN HEMT)在动态栅应力下的电学特性退化机理,设计了一种双管控制快速切换测试电路,在施加动态栅应力后300 ns内快速测量器件的导通电阻,并进行了对比实验和仿真分析.结果表明,在施加300 s有效动态栅应力后,器件的阈值电压基本保持不变,而导通电阻随应力施加时间、频率的增大呈明显增加趋势,且退化率最高达到10.82%.在器件的开启、关断阶段,空穴热载流子会注入到沟道层,最终导致器件导通电阻的退化;但是在导通持续、关断持续阶段由于没有热载流子产生,该应力下器件电学参数保持稳定.综上,器件导通电阻在动态栅应力下的退化主要是由开启、关断阶段的空穴热载流子注入引起的.

摘要：针对目前以差分功耗攻击为代表的旁路攻击技术对加密设备的安全性造成了严重威胁的状况,提出了一种基于"非对称"掩码的新型抗差分功耗攻击的方法,并在标准加密算法(DES)中实现.即通过在算法的不同时刻引入不同的随机掩码变换,使加密设备的功耗与密钥之间的相关性被扰乱,从而抵御相关功耗攻击.以此方案设计了电路并采用FPGA实现了电路.搭建了功耗攻击的FPGA实物平台,分别对未加防御的DES和抗相关功耗攻击DES算法电路进行相关功耗攻击实验.实验结果表明,以增大5倍攻击样本且花费了近5倍的破译时间为代价,仍无法攻破该方法保护的DES算法,可见"非对称"掩码方法对相关功耗攻击起到了防御效果.

摘要：为了提升安全应用中分组密码算法的面积效率,提出了一种基于粗粒度可重构计算的硬件架构.在可重构架构设计过程中采用了2种优化方案,即利用Benes网络优化可重构计算阵列的层间互联和基于配置信息的使用频度优化配置信息的组织方式.实验结果表明:采用基于Benes网络的层间互联方案后,可重构阵列中层间互联的面积开销减少了51.61%;采用基于使用频度的配置信息层次化组织方式后,AES分组密码算法和DES分组密码算法的配置时间分别缩短了80%和88%,配置时间占总时间的百分数分别下降了42%和39%.这2种分组密码算法在该可重构架构上实现的面积效率为同类架构的3.95和1.51倍.因此,所提的2种优化方案能够有效降低面积开销,提高可重构架构的性能,有助于分组密码算法高面积效率的实现.

摘要：为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管(VDM OS)模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描述碳化硅基VDM OS器件电学特性的模型.模型包括静态部分与动态部分.静态部分不仅分别针对沟道区、积累区、寄生结型场效应晶体管(JFET)区及N-外延层建立电流模型,还考虑了界面态对于阈值电压偏移与沟道迁移率的影响.动态部分中引入了界面陷阱对于电容的影响,完善了基于端电荷划分理论的动态模型.结果表明,所提器件模型的输出特性和转移特性的仿真结果与实测结果之间的均方根误差均小于5%,开关特性的仿真结果与实测结果之间的均方根误差小于10%.

摘要：针对带有栅极场板的绝缘体上硅p型横向双扩散场效应晶体管(SOI-p LDMOS),提出了一种新型表面电场解析模型.相比于传统模型,该模型充分考虑了场板边缘效应对电场分布的影响,验证结果显示新模型能更好地符合Medici数值仿真结果.此外,基于所建立的器件表面电场模型,研究了栅极场板长度(包括多晶硅场板和金属场板)及漂移区掺杂浓度对器件表面电场分布和击穿特性的影响,进而对SOI-p LDMOS进行了优化设计.流片测试表明,所建立的新型表面电场解析模型能够很好地指导器件参数设计,实现了器件耐压和导通电阻的最佳折中.

摘要：给出了基于0.25μm CMOS工艺的数字电视调谐芯片中宽带低噪声LC VCO的设计,通过对VCO谐振网络的优化设计,显著抑制了flick噪声对相位噪声的影响,使三个波段的VCO的相位噪声有了明显改善,文中重点讨论了中波段VCO谐振网络的设计方法并给出中波段的相位噪声的仿真和测试结果。结果显示在中波段偏移中心频率10k处的相噪能改善5~10dBc,整个中波段相位噪声低于-85dBc/Hz@10kHz,频率覆盖190~530MHz。

摘要：设计了一种用于锁相环的低失配CMOS电荷泵电路,采用互补差分输入。互补差分管的使用有效地解决了电荷泵的时钟馈通和电荷注入等非理想现象。同时,利用自举的方法消除了电荷共享现象。在电路和版图的设计中,充分考虑了对称性对电流失配的影响。本电荷泵电路基于新加坡Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,采用Candence中的Spectre仿真工具进行仿真,电源电压为3.3V。测试结果表明,在本芯片需要的各种电荷泵电流下其失配都低于0.65%。本电荷泵电路已应用于射频调谐器当中。