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检索条件"机构=东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心。南京210096"
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高线性度上变频混频器设计
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《电子器件》2004年 第4期27卷 603-606页
作者:李鸣 唐守龙 罗岚 黄成 时龙兴东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
首先介绍了二次变频接收机的架构及其优点 ,随后采用 Gilbert单元设计了适用于二次变频结构数字电视调谐器的上变频混频器。基于 Chartered 0 .2 5μm CMOS工艺的仿真结果显示该混频器达到了良好的性能 ;转换增益为 3 d B,在 5 0~ 860 ...
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异步复位设计中的亚稳态问题及其解决方案
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《电子器件》2002年 第4期25卷 435-439页
作者:田志明 杨军 罗岚东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
尽管异步复位是一种安全可靠复位电路的方法 ,但如果处理不当的话 ,异步复位释放可能会导致亚稳态(m etastability)的问题。本文分析了这个问题产生的原因和后果 ,给出了一种可能的解决方案 ,在设计中加入复位同步器逻辑和复位分配缓冲...
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磁卡解码芯片中锁相环电路设计
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《电子器件》2009年 第2期32卷 321-323,328页
作者:陈亮 庄华龙 吴建辉东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
为了产生一个与输入数据同步的脉冲作为磁卡解码芯片的时钟信号,设计了一种数字锁相环电路。该电路通过产生一个与输入数据周期有关的、具有特定宽度的脉冲信号来对输入信息进行处理,最终得到与输入同步的数据、时钟信号,用来控制芯片...
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1000V VDMOS的优化设计研究
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《电子器件》2007年 第3期30卷 759-761,765页
作者:王佳宁 孙伟锋东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
主要是寻找一种优化设计1000V的VDMOS的方法.通过分析VDMOS导通电阻及关态击穿电压的理论模型,找到影响器件静态特性的主要参数:外延电阻率及厚度、栅的长度、p-body结深,针对以上主要参量的模拟,最终达到优化设计1000V的器件.通过用Rat...
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数字视频信号捕捉控制器设计
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《电子器件》2008年 第6期31卷 1748-1752页
作者:刘新宁 君懿东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
在分析ITU-R BT.601/656数字视频标准及色彩空间变换原理基础上,采用Synopsys的EDA工具VCS设计了基于AMBA总线的可重用视频捕捉控制器IP核。全文在给出控制器结构的基础上详细介绍每个部分的设计,最后给出仿真结果。FPGA验证采用ALTERA...
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基于ARM Integrator的Sigma-Delta音频DAC的实现
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《电子器件》2007年 第2期30卷 668-671页
作者:于芳玲 闫华 钟锐东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
介绍了ARM公司的一款FPGA验证开发平台ARMIntegrator,以及基于该平台设计的Sigma-Delta音频DAC的实现.在详细介绍Integrator的各个模块的基础之上,利用开发平台的FPGA上验证实现了一个1阶的6位的Sigma-Delta型的DAC,主要包括Sigma-Delta...
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A CMOS Voltage Reference Based on V_(GS) and ΔV_(GS) in the Weak Inversion Region
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《Journal of Semiconductors》2008年 第8期29卷 1523-1528页
作者:夏晓娟 谢亮 孙伟锋东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
A CMOS voltage reference, which is based on VGs and/x ΔGS in the weak inversion region, has been designed and implemented in standard 0.6μm CMOS technology. No diodes and parasitic bipolar junction transistors (BJT...
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一种基于DVB-C的初始解调电路的设计
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《电子器件》2007年 第2期30卷 472-474,480页
作者:李晶晶 吴建辉 吴俊 张萌东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
本文介绍了一种基于DVB-C标准的初始解调电路设计,它综合了本地载波解调和简单序列解调两种实现方式,这两种方式的选择由IIC写入的寄存器值控制.文章重点讨论了本地载波解调中的直接数字频率合成器(DDFS)模块的设计.ModelSim仿真和PGA...
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700V VDMOS设计
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《电子器件》2007年 第2期30卷 419-422页
作者:杨东林 孙伟锋 刘侠东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
主要研究高压VDMOS器件的设计方法.理论分析了VDMOS结构参数与其主要性能的关系.按700V VDMOS器件击穿电压和导通电阻的设计要求给出基本的结构参数,并在此基础上通过数值模拟的方法进行优化.重点讨论外延电阻率及厚度,栅的长度和PBODY...
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一种SD卡控制器的硬件实现
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《电子器件》2007年 第2期30卷 643-645,650页
作者:左源 刘新宁 师超东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
通过分析SD卡物理层规范,设计了一种采用SD总线的SD卡控制器,该控制器可以实现对于SD卡的基本控制,如:初始化SD卡、读写数据、擦除数据等操作.该控制器应用于一款采用AMBA总线的多媒体SoC芯片.该设计采用硬件描述语言(Verilog)实现,利用...
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