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一种1.8V 10位100Ms/s流水线模数转换器设计(英文)
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《Journal of Semiconductors》2008年 第5期29卷 923-929页
作者:龙善丽 时龙兴 吴建辉 王沛东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
针对自举开关中的寄生效应和导通电阻的非线性问题提出了一种新的低压低电阻的自举开关.同时利用增益增强技术设计高直流增益和高单位增益带宽的运放,从而保证采样保持电路和子级电路的性能.基于以上技术,设计了一个10位100Ms/s流水线...
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红外焦平面阵列读出电路非线性的研究
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《半导体光电》2010年 第3期31卷 455-458页
作者:文勇 夏晓娟 孙伟峰东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
在红外焦平面阵列读出电路中,非均匀性是限制其发展的主要瓶颈之一。优化读出电路的非线性可以改善焦平面阵列的非均匀性,提高红外系统的成像质量。文章主要对电容跨阻抗放大器(CTIA)型读出电路的非线性进行研究,包括该结构的积分放大...
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逐次逼近型模数转换器中的失配校准技术(英文)
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《Journal of Semiconductors》2007年 第9期28卷 1369-1374页
作者:王沛 龙善丽 吴建辉东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
设计了一种用于逐次逼近型模数转换器中的比较器失调和电容失配自校准电路.通过增加校准周期,该电容自校准结构即可与原电路并行工作,实现高精度与低功耗.校准精度可达14bit .采用该电路设计了一个用于逐次逼近型结构的10bit 3 Msps模...
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一种指数增益控制型高线性CMOS中频可变增益放大器
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《Journal of Semiconductors》2006年 第9期27卷 1666-1671页
作者:恽廷华 唐守龙 时龙兴东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器.该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成.基于0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,放大器实现了8~48dB的增益连续...
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宽带低相位噪声锁相环型频率合成器的CMOS实现
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《Journal of Semiconductors》2006年 第10期27卷 1838-1843页
作者:陈作添 吴烜 唐守龙 吴建辉东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
用0.25μm标准CMOS工艺实现了单次变频数字有线电视调谐器中的频率合成器.它集成了频率合成器中除LC调谐网络和有源滤波器外的其他模块.采用I^2C控制三个波段的VCO相互切换,片内自动幅度控制电路和用于提升调谐电压的片外三阶有源...
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基于形态学滤波和小角度边缘搜索的运动自适应去隔行
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《中国图象图形学报》2008年 第5期13卷 882-887页
作者:丁勇 陆生礼 时龙兴国家专用集成电路系统工程技术研究中心东南大学南京210096 
为实现隔行扫描到逐行扫描的视频格式转换,提出了一种运动自适应的去隔行算法,主要包括运动估计、运动向量的形态学滤波、小角度边缘搜索、时空插值权重自适应插值等。该算法通过同极性场的像素块绝对值差和(SAD)与运动阈值的比较实现...
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具有温度补偿及dB线性增益控制的单级宽范围CMOS可变增益放大器(英文)
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《Journal of Semiconductors》2007年 第4期28卷 518-525页
作者:恽廷华 尹莉 吴建辉 时龙兴东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
提出了一种新颖的宽范围CMOS可变增益放大器结构.利用可变跨导和新颖的可变输出电阻,基于单独可变增益级的放大器可提供80dB的宽范围调节.同时控制电路的设计完成了温度补偿及dB线性增益特性,实现在整个温度及增益调节范围内绝对增益误...
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一种基于亚阈区V_(GS)和ΔV_(GS)的CMOS基准电压源电路(英文)
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《半导体学报:英文版》2008年 第8期29卷 1523-1528页
作者:夏晓娟 谢亮 孙伟锋东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
介绍了一种基于亚阈区VGS和ΔVGS的CMOS基准电压源电路,电路不采用二极管和三极管.电路采用正负温度系数电流叠加的原理,可以产生多个基准电压值的输出,适用于同时需要多个基准的电路系统中.所设计的电路在0.6μm CMOS工艺线上流水验证...
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针对离散电压处理器的动态电压调节策略
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《计算机应用研究2011年 第5期28卷 1786-1788页
作者:卜爱国东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
嵌入式系统设计者在以往设计过程中,通常只考虑到系统的稳定性、实时性等,但现在却面临着一个新的挑战降低系统的功耗。基于LP线性规划模型,针对具有离散工作电压模式的处理器提出了一种动态电压调节策略LPBVSP(LP based voltage scalin...
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高线性度的CMOS下变频混频器的设计
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《固体电子学研究与进展》2008年 第2期28卷 220-223,270页
作者:张云珠 翁强 吴建辉 张萌 闫道中东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 
采用正交反馈的跨导级设计了一种基于数字电视调谐芯片中的高线性度的下变频混频器,该混频器在3.3V的工作电压下,采用改进的Gilbert单元,使用基于Chartered0.25μm标准CMOS工艺进行流片测试,结果表明该混频器IIP3可达到15dBm,增益达到9dB。
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