摘要：本文提出在ＶｅｒｉｌｏｇＨＤＬ硬件描述语言和Ｖｅｒｉｌｏｇ－ＸＬ模拟器环境下，实现行为驱动的ＶＬＳＩ硬件结构设计方法，从而生成寄存器传输级的数据通道和控制通道．给出了智能机械手实时控制专用处理器结构设计实例．

摘要：借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,通过I-V特性曲线可知该高压N-LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上,开启电压为1.5V,而且制备工艺简单,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。

摘要：基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解.基于该物理模型提出的等效电路,在SPICE中准确地模拟了高压VDMOS的特性,包括准饱和特性和瞬态特性.在全电压范围内(0～100 V),直流特性与测试结果、瞬态特性(频率≤5 MHz)与MEDICI模拟结果相差均在5%以内,能够满足HVIC CAD设计的需要.

摘要：设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,通过 MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流 -电压和击穿等特性曲线 ,击穿电压比传统 HV-NMOS提高了 3 7.5 %。同时分析了凹源结构、p阱、缓冲层 ( Buffer层 )及场极板对改善 HV-NMOS工作特性的有效作用 ,最后给出了该凹源 HV-NMOS的流水实验测试结果。

摘要：本文设计了一款新型基于DCM工作模式的全数字PFC控制器,主控制采用了分段自适应PI控制策略,可根据负载、输入电压等的变化实时改变控制参数,不但能够提高系统的抗扰动能力,而且使得系统具有快速的动态响应性能。辅助控制引入了一种新颖的启动电流尖峰抑制策略,该策略基于工作模式控制,通过限制最大占空比使得电路工作在电流断续模式,在充分抑制启动电流尖峰的同时提供了足够的能量,保证了系统快速启动。实验结果表明,所设计的数字PFC系统在输入电压110~230V、最大输出功率140W的测试环境下,最大PF值为0.995 8,最大效率为95.68%。测试中系统启动时间均小于10个工频周期,无电压超调及启动浪涌电流。负载切换的响应时间最大179ms,最小21ms,过冲电压10%~20%。

摘要：设计了一种改进的差分输出晶体振荡器,该振荡器在一般交叉耦合结构的基础上,通过加入RC高通滤波器来改良电路的相位噪声。分析了该RC滤波器对电路的影响并给出了优化方法。基于0.25μm标准CMOS工艺模型的仿真结果表明,该滤波器可有效滤除经过上变频会成为载波附近相位噪声的低频噪声(特别是1/f噪声)。采用普通4MHz晶体谐振器,该振荡器相位噪声可以达到-130.1dBc@100Hz。

摘要：基于行为模型描述的模拟电路自顶向下设计方法适应了当今电子系统的设计要求．文中介绍的设计环境采用分层次、参数化、开放式的模型库描述，实现了模拟电路的自顶向下设计．分析验证在频域内进行，并考虑了与数字系统信号描述、验证环境及数据交换之间的兼容．设计实例说明了设计环境的有效性．

摘要：氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件因其出色的导通与开关特性,能够实现系统高频化与小型化,有效提升系统功率密度。但是,增强型GaN功率器件由于其栅极可靠性问题,使其在电源管理系统中无法直接替换传统硅基功率MOSFET器件。为此,提出一种预驱动芯片,通过片内集成LDO与电平移位结构,实现兼容12~15 V输入,并输出5 V信号对GaN功率器件的栅极进行有效与可靠控制,达到兼容传统硅基功率器件应用系统的要求。此外,通过多芯片合封技术,将预驱动芯片与GaN功率器件实现封装集成,降低了寄生电感,使其应用可靠性进一步提升。

摘要：提出了一种用于嵌入式系统的MP3定点解码算法。该算法的核心是用定点数和定点计算代替浮点算法,并对MP3解码的各个过程进行优化设计。该算法在以ARM处理器为核心的嵌入式系统上完成了代码实现,经过FPGA验证和性能分析表明,其解码速度和音质完全可以达到设计要求。

摘要：基于ＶｅｒｉｌｏｇＨＤＬ硬件描述语言以及ＶｅｒｉｌｏｇＸＬ模拟器，建立了从行为描述到寄存器传输级设计生成的数字集成电路高层设计环境，重点介绍了功能单元库的建立、目标硬件结构构成、排序与硬件配置．最后给出了一个设计实例．