摘要：本文报导了光纤通信接收机中 Ga As PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果。此前置放大器采用单电源供电 ,由 1级放大器、2级源级跟随器和 1个反馈电阻组成。当前置放大器工作在 2 .5Gbit/ s时 ,跨阻可达 6 0 d BΩ。采用 +5 V电源供电 ,功耗为 110 m

摘要：采用0．13μmR CMOS工艺设计并实现了一种应用于DVB—T／H数字电视广播系统调谐器的宽带下变频混频器，其工作频率为170MHz-1．675GHz。混频器使用吉尔伯特双平衡结构作为电路的核心单元，采用RC并联谐振电路作为负载以滤除输出高阶谐波，使用正交混频技术以有效抑制镜像干扰；通过采用电流注入技术，以减小流经开关管的电流，改善噪声系数，减小了负载上的直流压降，改善1．2V下混频器的直流工作状态；通过去除尾电流源以提高混频器的线性度。芯片测试结果表明，在1．2V的电源电压下，混频器转换增益为14．4dB，输入三阶截点为-3．05dBm，噪声系数为14．2dB，功耗为6mW.

摘要：面向传感器网络中时间序列数据的时域关联性特征,针对网内数据流量不均衡分布模式所导致的传输能耗漏斗效应问题,提出了基于预测模式的能量感知数据路由机制。机制的设计结合了蚁群优化机理自适应网络状况动态性的优势和预测模型揭示数据流量变化规律的优势,通过将节点负载因子引入蚁群优化算法中启发式因子的构造和局部信息素更新规则的设计,赋予蚂蚁代理在路由解空间探索中预知网络局域能量状况的能力,提高了数据路由构建的自适应性和能量均衡性。实验表明,论文提出的面向预测模式的路由机制,通过引入蚁群优化机理和挖掘数据内涵的时域关联性,有效降低和均衡了数据路由能耗。

摘要：在原有经典三条支路结构的带隙基准电路基础上，通过减少带隙电压源的电流源镜像次数及控制电流源漏源电压，在减小器件失配影响的同时，进一步减小了沟道长度调制效应的影响，大幅度提高了基准电压源的精度，降低了温度系数．封装后200片统计测试的结果：输出电压精度为1．23±0．02V，标准偏差d仅为0．007V，-40～85℃范围内的温度系数测试值在16ppm附近，芯片电源电流为100／μA．该改进电路的设计仿真结果和流片测试结果有很高的一致性．

摘要：基于具体的系统需求,采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种半速率bang-bang型时钟与数据恢复(CDR)电路。该CDR电路主要由改进型半速率鉴相器、带粗控端的环形压控振荡器(VCO)以及信道选择器等模块构成。其中,改进型半速率鉴相器通过增加四个锁存器,不但能获得较好的鉴相性能,还能使分接输出的两路数据自动实现相位对齐。带粗控端的环形VCO能够解决高振荡频率范围需求与低调谐增益需求之间的矛盾。信道选择器则能解决信道交叉出错问题。仿真结果表明,电路工作正常,在1.8V电压下,电路功耗为140mW,恢复出的时钟和数据抖动峰峰值分别为3.7ps和5ps。

摘要：介绍国外主流MEMS设计与实现的形式,简要概述目前应用于MEMS设计的几种主要EDA软件,给出利用一种EDA软件设计、利用多项目晶圆模式(MPW)实现的一个MEMS器件。

摘要：A 10 Gbit/s burst-mode preamplifier is designed for passive optical networks （PONs）. To achieve a high dynamic range and fast response, the circuit is DC coupled, and a feed-back type peak detector is designed to perform auto-gaincontrol and threshold extraction. Regulated cascade （RGC） architecture is exploited as the input stage to reduce the input impedance of the circuit and isolate the large parasitic capacitance including the photodiode capacitance from the determination pole, thus increasing the bandwidth. This preamplifier is implemented using the low-cost 0. 13 ixm CMOS technology. The die area is 425 μm × 475 μm and the total power dissipation is 23.4 mW. The test results indicate that the preamplifier can work at a speed from 1.25 to 10.312 5 Gbit/s, providing a high transimpedance gain of 64.0 dBΩ and a low gain of 54. 6 dBl2 with a dynamic input range of over 22.9 dB. The equivalent input noise current is 23. 4 pA/ Hz1/2. The proposed burst amplifier satisfies related specifications defined in 10G-EPON and XG-PON standards.

摘要：本文通过对传统大规模集成电路设计流程的优化,得到了更适合于深亚微米工艺集成电路的后端设计流程,详细介绍了包括初步综合、自定义负载线的生成、版图规划、时钟树综合、静态时序分析等,并通过前端和后端设计的相互协作对大规模集成电路进行反复优化以实现设计更优。并基于ARTISAN标准单元库,以PLL频率综合器中可编程分频器为例,在TSMC0.18μmCMOS工艺下进行了后端设计,最后给出了可编程分频器的后仿真结果、芯片照片和测试结果,芯片内核面积1360.5μm2,测试结果表明设计符合要求。

摘要：A novel programmable gain amplifier（ PGA） based on a signal-summing topology is proposed. Different from conventional signal-summing variable gain amplifiers（ VGA）,a binary-weighted switching technique is employed to vary the current-steering transistors＇ aspect ratio to change their transconductance, and hence, an accurate gain step size of 6dB is achieved. The constant-g_m biasing technique and the matching of the transistors and resistors ensures that the gain of the proposed topology is independent of the variation of process, voltage and temperature（ PVT）. P-well NMOS（ Nmetal oxide semiconductor） transistors are utilized to eliminate the influence of back-gate effect which will induce gain *** source-degeneration technique ensures good linearity performance at a low gain. The proposed PGA is fabricated in a0.18 μm CMOS（ complementary metal oxide semiconductor）process. The measurement results show a variable gain ranging from 0 to24 dB with a step size of 6 dB and a maximum gain error of 0. 3dB. A constant 3dB bandwidth of 210 MHz is achieved at different gain settings. The measured output 3rd intercept point（OIP3） and minimum noise figure（ NF） are20. 9 dBm and 11.1 dB, respectively. The whole PGA has a compact layout of 0.068 mm^2. The total power consumption is4. 8 mW under a 1. 8 V supply voltage.

摘要：基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性。利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18μmCMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器,芯片尺寸为0.6mm×1.5mm。测试结果表明,在3.1～5.2GHz频段内,S1112dB,S22<-12dB,噪声系数NF<3.1dB。电源电压为1.8V,功耗为14mW。