摘要：实现了一种用于DAB数字广播射频接收机的改进型电荷泵电路.电路核心部分采用带有运算放大器的改进型的共源共栅极电流镜结构实现,以改善电荷泵的电流匹配度.电荷泵中的带隙基准源采用自偏置宽摆幅电流镜结构以增加输出电压的范围.电荷泵中的运算放大器采用叠式共源共栅极结构以获得更大的输入共模范围与更高的增益.芯片采用0.18μm CMOS工艺实现.测试结果显示,电荷泵的电流为0.3 mA.电流失配率在0.3～1.6 V输出电压范围内小于1%.在1.8 V供电电压下,芯片功耗约为4 mW.实验结果显示,所设计的电路结构实现了充放电电流的匹配,且功耗较低.

摘要：介绍了一种基于0.18μm CMOS工艺,应用于5 GHz无线局域网(WLAN)的可编程增益放大器(PGA)。该PGA采用分级可选放大器的系统结构,核心电路由交叉耦合的共源共栅放大器和电流反馈放大器组成。为消除工艺角偏差对增益精度的影响,设计中加入了增益微调的机制。后仿真结果表明:PGA电压增益可在0 dB到41 dB之间以1 dB步长变化,双端输出的电压摆幅为1 Vp-p,并具有大于10 MHz的-3 dB带宽和小于21.1 mW的静态功耗。

摘要：采用0．18μm CMOS工艺成功设计并实现了一个10Gbit／s突发模式激光驱动器芯片，该芯片可应用于IEEE802．3av标准所定义的对等速率万兆以太网无源光网络系统。此设计对突发模式调制和偏置电路进行了改进，减少了突发开启／关断的转换时间；片内集成了峰／谷值采样保持电路，降低了激光器自动功率控制的成本和复杂度。测试表明：芯片可工作在10．3125Gbit／s速率上；突发开启／关断转换时间均小于0．5ns，满足802．3av标准中时序参数的规定；在125μs的保持周期内，采样保持电路输出电压跌落小于0．5mV。芯片面积为675μm×875μm。

摘要：给出了一个适用于万兆以太网IEEE80 2 3ae 10GBASE -X的高线性度全集成单片环形压控振荡器电路。该压控振荡器采用TSMC 0 18μmCMOS混合信号工艺设计制造 ,由四级差分延时单元和输出驱动电路组成 ,芯片总面积为 0 3× 0 4mm2 。芯片采用 1 8V单电源供电 ,测得带直接耦合差分 5 0Ω负载时的总功耗为 78mW ,单端输出功率为 10 2dBm ,振荡频率在 2 8～ 4 0GHz有非常好的压控线性度 ,在振荡器中心频率为 3 12 5GHz时的单边带相位噪声为 - 96dBc/Hz@10MHz。

摘要：采用TSMC0.18μmCMOS工艺,设计应用于SDH系统STM-64速率级(10Gbit/s)光接收机前置放大器。该前置放大器采用具有低输入阻抗、宽带宽特点的RGC形式的跨阻放大器实现,同时在电路中引入有源电感实现并联峰化技术以拓展前置放大器的带宽。整个电路采用1.8V单电压源供电。仿真结果表明:中频互阻增益为59.2dBΩ,-3dB带宽为9.08GHz。

摘要：提出了基于耗尽型InAlAs InGaAsHEMT器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路 ,并给出了设计方法与实验结果 .该前置放大器采用单电源供电 ,单端输入 ,双端差动输出 ,由两级源级跟随器 ,一级输出级以及一个反馈电阻组成 .当前置放大器工作在 2 .5Gbit s时 ,跨阻可达 62 .5dBΩ .采用 + 5V电源供电 ,功耗为 2

摘要：介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10 Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分。仿真结果表明,在1.8 V电源电压作用下该电路可工作在10 Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值为0.2 V的信号时,在单端50Ω负载上的复接输出电压摆幅可达到1.4 V以上,电路功耗约为230 mW。芯片面积为1.77 mm×0.94 mm。

摘要：对基于0·2μmGaAsPHEMT工艺设计的10Gb/s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真,并且进行了流片测量验证.电路采用共源结构,噪声小,灵敏度高.测量结果表明该前置放大器在3·3V单电源、50Ω输出负载的条件下,跨阻为57·8dB·Ω,带宽可达到11GHz,芯片面积为0·5mm×0·4mm.测试结果与理论分析和仿真结果比较符合,此前置放大器可以工作在10Gb/s速率.

摘要：提出了一种基于∑-△调制(SDM)的单比特BP人工神经网络的硬件实现方法。设计了基于∑-△单比特信号的非线性立方根运算单元,并以此为激活函数单元构建了BP人工神经网络,网络中各神经元的输入输出均为基于∑-△调制的单比特信号。在此基础上实现S函数逼近和网络隐含层的非线性输出。同时采用低环路延时加法器、混合信号乘法器作为关键运算单元,减少了硬件消耗,提高了运算精度。最后在可编程门阵列(FPGA)上实现整个非线性BP人工神经网络,并通过函数逼近的实例验证了该网络的功能。

摘要：采用CSM0.35μm CMOS工艺,设计了低功耗2.5-3.125Gbit/s4∶1复接器.该芯片既可以应用于光纤通信系统SDH STM-16（2.5Gbit/s）速率级别的光发射机,又可以应用于万兆以太网IEEE802.3ae10GBASE-X（3.125Gbit/s）速率级别的通道接口发送器.系统采用树型结构,核心电路由锁存器、选择器、分频器组成,并采用了CMOS逻辑实现.最高工作速率可达3.5Gbit/s.芯片供电电压3.3V,核心功耗为25mW.该芯片采用SOP-16封装.芯片封装后焊接在高速PCB板上进行测试,封装后芯片最高工作速率为2.3Gbit/s.