摘要：研究了在特定工艺条件下进行高速低功耗集成电路设计的相关问题,包括结构设计、电路设计和工艺角的影响。提出用CMOS逻辑电路完成超高速电路设计的思想,利用CSM 0.35μm CMOS工艺设计完成了速率为3.125Gb/s的4:1复接器芯片。该系统采用树型结构,由两个并行的低速2:1复接单元和一个高速2:1复接单元级联而成。核心电路锁存器在低速单元中用带有电平恢复的4_T电路构成,在高速单元中用动态传输门构成;选择器则用CMOS传输门构成的双路开关实现,每一电路都只用4只晶体管实现。芯片面积为0.39mm^2。芯片测试结果表明:在3.3V电源电压下,芯片核心功耗低于40mW,最高工作速率可达4Gb/s。

摘要：采用线性时变(LTV)模型分析了电压偏置型 CMOS LC 交叉耦合压控振荡器(VCO)的相位噪声。以相位噪声为优化目标,元件参数为设计变量,根据理论计算与仿真结果确定了晶体管宽长比和谐振腔电感的最佳值,完成了电路的优化过程。并以此优化结果为依据,用 0.18gm CMOS 工艺设计、实现了一个芯片面积为1.1mm×0.7rnm 的 LC 交叉耦合振荡器。测试结果表明,在1.8V 电源电压下,该压控振荡器的频率范围覆盖1150～1210 MHz,10kHz 频偏处相位噪声达到-89dBc/Hz,核心电流4.3mA,抑制相位噪声性能优于其他振荡器。

摘要：基于TSMC0．13μm CMOS工艺，对深亚微米硅基上的共面波导特性进行了研究。在分析中引入了保角映射等数值方法，给出了有效介电常数εeff、特征阻抗Z、单位电容C等传输线指标随几何参数变化的计算公式。并设计了特征阻抗分别为50Ω和70Ω的共面波导传输线元件库。采用Short—Open—Load—Thru（SOLT）校准测试技术对片上传输线元件库进行测试。在0．1～40GHz范围内，测试结果与数值分析解吻合。这为在硅基上进行RFIC设计提供了一个合理选取传输线结构的方法。

摘要：设计并实现了基于0.2μm PHEMT工艺的宽带电流模形式前置放大器.前置放大器将光电二极管产生的电流信号放大并转换为差分电压信号.电路为共栅结构,输入电阻小,减小了光检测器寄生电容对电路带宽的影响.设计时采用了电容峰化技术,可获得比普通共栅结构更宽的带宽.后仿真结果为,在单电源5V,输出负载50Ω的条件下,该前置放大器的跨阻增益为1.73kΩ,带宽可达到10.6GHz,同时具有低噪声和较宽的线性范围,芯片面积为607μm×476μm.测试结果表明,此前置放大器可以很好地工作在10Gbit/s速率上.

摘要：提出了一种新的树型结构 1 0∶1并串转换电路 ,可应用于千兆以太网 ,其工作速度达到 1 2 5Gbit/s.树型结构的使用可以使大部分电路工作在较低的速率上 ,从而简化了设计 ,也减小了功耗 .低速 5∶1并串转换单元采用改进的并行结构 ,利用一系列D触发器调整进入数据选择器的时钟和数据间的相位关系 ,使其相对于普通并行结构有更大的相位裕量 ,可以更可靠地工作 .芯片应用TSMC 0 1 8 μmCMOS工艺实现 ,芯片面积为 0 7mm× 0 5mm ,核心电路功耗为 3 6mW ,小于同类电路 .

摘要：从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9～14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9～14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在10.4GHz为2.0dB,功率增益在所需频段9～14GHz大于21dB,输入回波损耗<-10dB,输出回波损耗<-6dB。在11.5GHz,输出1dB压缩点功率为19dBm。

摘要：给出了一个基于TSMC 0 1 8μmCMOS工艺设计的千兆以太网物理层时钟产生 /倍频单片集成电路 .芯片采用电荷泵结构的锁相环实现 ,包括环形压控振荡器、分频器、鉴频鉴相器、电荷泵和环路滤波器等模块 ,总面积为 1 1mm× 0 8mm .采用 1 8V单电源供电 ,测得在负载为 5 0Ω时电路的输出功率大于 5dBm .芯片在PCB板上键合实现锁相环路的闭环测试 ,测得锁定范围为1 30MHz;当环路锁定在 1GHz时 ,振荡器输出信号的占空比为 5 0 4% ,rms抖动为 5 4ps,单边带相位噪声为 - 1 2 4dBc/Hz @1 0MHz .该电路适当调整可应用于千兆以太网IEEE80 2 3规范1 0 0 0BASE X的物理层发信机设计 .

摘要：采用TSMC 0.13μm CMOS工艺设计了一款宽带电感电容压控振荡器(LC-VCO).LC-VCO采用互补型负阻结构,输出信号对称性较好,可以获得更好的相位噪声性能.为达到宽的调谐范围,核心电路采用4 bit可重构的开关电容调谐阵列以降低调谐电路增益,并使用可变电容在每段开关电容子频带上实现调谐.此外,压控振荡器的设计采用了开关电流源、开关交叉耦合对和噪声滤波等技术,以优化电路的相位噪声、功耗、振荡幅度等性能.整个芯片(包括焊盘)面积为1.11 mm×0.98 mm.测试结果表明,在1.2 V电源电压下,UWB和IMT-A频段上压控振荡器所消耗的电流分别为3.0和5.6 mA,压控振荡器的调谐范围为3.86～5.28和3.14～3.88GHz.在振荡频率3.534和4.155 GHz上,1 MHz频偏处,压控振荡器的相位噪声分别为-122和-119 dBc/Hz.

摘要：采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了应用于10Gb/s速率级光接收机的前端放大电路。该电路由前置放大器与限幅放大器构成,两者均采用了差分电路形式。前置放大器由共基输入级和带并联负反馈的放大器组成。跨导放大器中的基本放大器采用共集-共发-共基的组合结构扩展带宽。限幅放大器采用两级Cherry-Hooper结构。芯片面积仅为0.47mm^2。测试结果表明,在3.3V的供电电压下,总功耗为158mW。在输入电压信号25mV时,可以得到清晰对称的眼图。

摘要：基于0.18μm CMOS工艺,研究并设计了一个精度为6比特、采样率为2 Gsps的全并行超高速模数转换器(ADC),发现并解决了门限限速效应(TLSE),进而提高了ADC的电压比较器的工作速度,并利用平均终端法减小了电路非线性失真。采用分段编码方式,使电路规模和速度都得到了优化。通过SMIC实现流片,有效面积为0.48mm^2。实测结果表明,该ADC芯片的最小分辨率为10mV,最高采样率可达2.2Gsps。最高采样率下有效位达到5.6比特,总功耗310mW。