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检索条件"机构=东南大学微电中心"

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低温BiCMOS电路的优化设计: 收藏
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引用; 《低温与超导》1995年第4期23卷 18-26页; 作者：吴金魏同立南京东南大学微电于中心; 该文根据新建立的ＢｉＣＭＯＳ门电路延迟模型．从器件性能和电路工作状态两个层次上分析了低温ＢｉＣＭＯＳ门电路的优化设计，得到了物理意义清晰、可靠的结论，并且所提出的理论和方法，对高速ＢｉＣＭＯＳ低温电路的设计具有实际指...; 该文根据新建立的ＢｉＣＭＯＳ门电路延迟模型．从器件性能和电路工作状态两个层次上分析了低温ＢｉＣＭＯＳ门电路的优化设计，得到了物理意义清晰、可靠的结论，并且所提出的理论和方法，对高速ＢｉＣＭＯＳ低温电路的设计具有实际指导意义．; 来源：详细信息评论

高速浮点乘法器设计: 收藏
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引用; 《电路与系统学报》2005年第6期10卷 6-11页; 作者：吴金应征东南大学无锡分校江苏南京210096 东南大学微电中心江苏南京210096; 设计了一种符合IEEE-754标准的32bits高速CMOS浮点乘法器。该乘法器采用MBA算法和基于4:2compressor的树型结构完成CarrySave形式的部分积压缩,再由高速CarrySelect加法器求得乘积。电路设计采用了新型的高速加法运算单元。乘法器采用0...; 设计了一种符合IEEE-754标准的32bits高速CMOS浮点乘法器。该乘法器采用MBA算法和基于4:2compressor的树型结构完成CarrySave形式的部分积压缩,再由高速CarrySelect加法器求得乘积。电路设计采用了新型的高速加法运算单元。乘法器采用0.35μm制程,内含19,197个晶体管。3.3V工作电压下(室温),乘法器延迟时间为3.807ns,功耗为107mW@100MHz。; 来源：详细信息评论

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