摘要：本文讨论了静电场中电子轨迹的三维计算机模拟．给出了相应的计算公式．文中还对几种轨迹存在解析解的三维静电结构进行了计算．结果表明，本文所述方法精度较高，能满足电子光学ＣＡＤ的实际需要，是数值求解非轴对称静电结构下电子轨迹的有效方法．

摘要：已有的理论和实验都已证明，多晶硅发射极硅双极晶体管适合于低温工作。但至今为止，其完整的大注入时电流增益的理论分析还不成熟，特别是进行定量的计算；本文定量地模拟了低温７７Ｋ和常温３００Ｋ下多晶硅发射极硅双极晶体管电流增益与集电极电流密度的关系，并且分析了低温和常温下决定该晶体管电流增益大注入效应的主要物理效应，为低温多晶硅发射极硅双极晶体管的设计提供了有益的理论基础。

摘要：研究了屏的位置与偏转角之间的关系以及彩色质量因子Ｑｋ与偏转角之间的关系．对１２０°偏转角的偏转线圈进行了优化设计，给出了优化结果．

摘要：高清晰度电视的发展对偏转系统的偏转灵敏度提出了更高的要求，应用带有磁极的偏转系统可以提高偏转灵敏度，多段式的磁极结构可以实现自会聚。对三段式的二十极多磁极偏转系统的计算机辅助设计方法进行了介绍，得到会聚良好、具有较高偏转灵敏度的多磁极偏转系统。

摘要：根据神经束电信号的特点,提出一种适用于中枢神经束电信号探测放大和再激励的微电子系统设计方案,功能单元包括微弱神经电信号探测电路、交流信号耦合电路和神经束再激励电路.为面向生物体植入应用,系统设计主要考虑功耗、噪声和交流耦合输入等性能.另外,设计了2种运算放大器单元,分别是用于前置电路的低噪声、低功耗两级运算放大器和具有高增益、高驱动能力的输入输出全摆幅恒跨导折叠运算放大器.系统采用CSMC双层多晶硅双层金属(DP-DM)标准0.5μm CMOS工艺设计完成.仿真和测试结果表明设计芯片实现了微弱低频电信号放大功能,可用于神经信号再生应用,功耗和体积满足生物体植入式器件的要求.

摘要：在偏转系统的计算机辅助设计中应用商用电磁场计算软件ＥＭＡＳ（ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｍａｇｎｅｔｉｃｆｉｅｌｄＡｎａｌｙｓｉｓＳｙｓｔｅｍ）与表面磁荷法相结合计算空间任意一点磁场、用龙格库塔法计算电子轨迹、用局部优化法进行偏转系统优化的计算方法．

摘要：本文讨论了电子光学系统计算机辅助设计中涉及的电场强度的三维数值计算问题，给出了一套数值计算公式；同时编程计算了特定电位分布下的电场强度。结果表明，此方法的精度较高，符合实际需求。

摘要：针对新型矩形偏转线圈的设计提出了一种简单新颖的设计方法。该方法不仅可以避免复杂的三维电磁场计算和优化 ,而且还可以利用现有的旋转对称偏转线圈的计算结果 ,因此可节省大量的时间。此外 ,该方法不仅可用于非旋转对称矩形线圈的设计 ,还可用于其它的电磁场问题。文中采用一简单的偏转线圈结构模型 ,从数值计算和实验验证两方面证明了该方法的正确性和可行性。

摘要：提出了在扁平显像管内用非调制单电压反射极来实现水平线性偏转的设计 ,它具有引出线少、结构简单、易于光栅校正等优点 ;介绍了水平扫描线性公式并用CAD来设计反射极 ;制造了多个实验管 。

摘要：用人工神经网络的方法研究着屏电子束斑与电子枪主透镜的关系 ,该方法可以避免复杂的电子光学数值计算。当网络体系建成后 ,在很短的时间内即可由已知的着屏电子束斑逆推出电子枪主透镜的结构。同时可以看出在较好的选取学习样本的情况下 ,人工神经网络是求解电子光学系统逆设计的一个行之有效的方法。