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基于SiC MOSFET的功率合成发射机
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《舰船电子工程》2019年 第3期39卷 68-72,76页
作者:费广乐中国人民解放军南部战区海军参谋部信息保障处湛江524003 
针对在对潜甚低频通信中的长波通信功率放大技术中存在的功率损耗大、功率密度低等问题,论文提出采用第三代宽禁带半导体SiC器件制作功率合成发射机。其能够提高功率密度,减少功率损耗。论文详细分析了基于SiC MOS-FET的功率合成发射机...
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