摘要：采用0.18μm CMOS工艺设计了用于2.5GHz锁相环系统的1∶20分频器电路。该电路采用数模混合的方法进行设计,第一级用模拟电路实现1∶4分频,使其频率降低,第二级用数字电路实现1∶5分频,从而实现1∶20分频。该电路采用SMIC 0.18μm工艺模型,使用HSPICE进行了仿真。仿真结果表明,当电源电压为1.8V,输入信号峰峰值为0.2V时,电路可以工作在2.5GHz,功耗约为9.8mW。

摘要：依据带隙基准原理,采用华润上华(CSMC)0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种用于总线低电压差分信号(Bus Low Voltage Differential Signal,简称BLVDS)的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明,在电源电压VDD=3.3 V,温度T=25℃时,输出基准电压Vref=1.25 V。在温度范围为-45℃～+85℃时,输出电压的温度系数为20 pm/℃,电源电压的抑制比δ(PSRR)=-58.3 dB。