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KTP倍频器件温度适应性扩展研究
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《物理学报》2015年 第9期64卷 311-316页
作者:李晓明 沈学举 刘恂 王琳军械工程学院电子与光学工程系 中国人民解放军77108部队 
针对目前最常用的KTP倍频晶体,综合考虑其有效非线性系数和温度半宽度,采用折中设计有效扩展KTP倍频器件适用温度范围.对大适用温度范围的KTP倍频器件的设计方法进行了详细的理论分析,并设计了一种温度半宽度为-20℃到50℃的KTP倍频器件...
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