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检索条件"机构=中国华晶电子集团公司MOS总厂设计所"
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开关电容滤波器的设计
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《微电子技术》2000年 第4期28卷 11-19页
作者:汪东 狄永清 陆竹青 张从容 郑明中国华晶电子集团公司MOS总厂设计所无锡214061 
本文简要阐述了基本开关电容工作原理,介绍了两种开关电容滤波器的设计方法,并用其进行DTMF滤波器中低通、带通和高通滤波器的设计
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一种8位微机芯片的CPU内核
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《微电子技术》1999年 第5期27卷 22-27页
作者:居水荣 郑明中国华晶电子集团公司MOS总厂设计所无锡214061 
本文介绍了一种8位微处理机芯片的CPU内核,给出了该内核的结构、数据流,举例说明了指令的调试过程。
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3V/5V标准单元混合使用的芯片设计
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《半导体情报》2000年 第2期37卷 37-39,44页
作者:居水荣中国华晶电子集团公司MOS总厂设计所无锡214061 
讨论了 0 .9μm标准单元正向设计流程中当电路中存在 5 V和 3 V两种电压时芯片的设计方法 ,包括网表产生与验证 ,版图设计 ,电压转换单元的加入原则。
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0.9μmASIC正向设计中的版图数据格式及库的混合使用
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《微电子技术》2000年 第2期28卷 12-16页
作者:居水荣 陈育人中国华晶电子集团公司MOS总厂设计所无锡214061 
给出了 0 9μmASIC正向设计中的版图数据格式与gdsⅡ格式之间转换步骤 ,讨论了单元库混合使用的设计方法。
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0.9μmASIC正向设计中的总体仿真及测试矢量产生
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《微电子技术》2000年 第2期28卷 17-21页
作者:居水荣 郑明中国华晶电子集团公司MOS总厂设计所无锡214061 
给出了在以VHDL为硬件描述语言的 0 9μmCmos标准单元正向设计中 ,在存在用户定制单元及ROM宏单元情况下的总体仿真方法 ,讨论了测试矢量的产生及验证。
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0.9μmASIC正向设计中DDB的产生及验证
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《微电子技术》2000年 第2期28卷 8-11页
作者:居水荣 袁敏民中国华晶电子集团公司MOS总厂设计所无锡214061 
讨论了 0 9μm标准单元正向设计流程中 ,后道工具需的中间数据格式—DDB的产生方法及步骤 ,同时给出了DDB的验证方法。
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