摘要：设计了基于容性肖特基二极管的220GHz非平衡三倍频器。首先对容性肖特基二极管进行测试和关键参数提取,建立了肖特基二极管的等效电路模型,以此为基础进行三倍频电路设计;在倍频电路设计中通过引入紧凑悬置微带谐振单元(CSMRC)滤波结构来减小信号传输损耗;由于三倍频电路设计中难以实现全波阻抗匹配,因此采用了整体电路结构谐波平衡调匹配方法设计倍频电路,最后对制备出的倍频器进行测试和分析;实验测试结果表明:倍频器在213.1~221.6GHz范围内输出功率大于10 mW,倍频效率大于5%,最高输出功率为18.7mW@218.6GHz,最高倍频效率为8.24%@217.9GHz。

摘要：提出了一种新颖的対拓Vivaldi天线.该天线的辐射耀斑用新的复合指数曲线修正.为改善天线的辐射特性(增益,波束偏离和交叉极化),采用了一个新的引向器,该引向器由两个混合椭圆金属贴片构成.测试结果表明该天线在1~40 GHz频率范围内增益>0 dBi,并且在15~40 GHz频段内天线的增益>12 dBi.在3~40 GHz频率范围内,E面的波束偏离小于3°,并且在15~40 GHz不超过2°.

摘要：由于需要外部电源的接入,传统芯片上的环形结构的物质波波导无法形成完全封闭的环形结构,其产生的环形磁阱存在天然缺陷,阻碍了对冷原子的有效操控。利用硅通孔(TSV)技术能够在垂直于原子芯片表面方向接入导线,有望降低接入导线对环形磁阱的影响。本文通过有限元方法对基于TSV技术的环形原子物质波波导进行仿真研究,对导线加载电流时的磁场进行仿真分析,并系统研究了TSV横截面形状、通孔深度、通孔间隙等因素对环形导线所产生磁阱的影响。最终结合仿真结果,设计一种在加工工艺上切实可行的基于TSV结构的环形波导原子芯片。

摘要：太赫兹近场多输入多输出合成孔径雷达(MIMO-SAR)技术具有在保证分辨率同时降低阵元数量的优势,在人体安检中有重要的研究和应用价值。该文首先介绍了应用在人体安检领域的太赫兹近场MIMO-SAR技术系统现状,将典型系统进行了归纳和对比;其次介绍阵列设计,对典型面阵列的指标特性进行了仿真对比;介绍典型的成像算法和加速方法,比较成像算法的图像重构速度。最后对发展进行了展望。

摘要：阵列设计作为多输入多输出（MIMO）雷达成像系统中的一项关键技术直接影响系统成像性能。通过分析MIMO雷达成像模型,探讨了基于等效阵列概念的MIMO阵列设计方法,并讨论了近场效应对成像结果的影响。基于所构建的MIMO雷达成像实验系统,进行了近场微小金属目标二维成像试验。实验结果表明：该阵列设计方法在120-150GHz的适用性,验证了毫米波MIMO雷达近场成像能力。

摘要：双极型晶体管的总电离剂量辐照效应主要体现在基极电流(IB)的退化,其作用机理是电离辐射在SiO_(2)中及Si/SiO_(2)界面作用导致的氧化物陷阱电荷面密度(Not)和界面陷阱电荷面密度(Nit)的增长.本文基于定制设计的栅控横向PNP晶体管,开展了大样本、多剂量点的电离总剂量效应实验,获得了双极型晶体管I_(B),N_(ot),N_(it)的分散性及其随总剂量变化的统计特性,初步建立了晶体管损伤分散性与Not分散性的关联.该研究成果可以有效支撑双极型电路辐射可靠性的机理研究与定量评估.

摘要：设计了工作在太赫兹频段的无线通信系统,基带部分采用16QAM调制体制,射频部分采用混频器实现两级上下变频,功放部分采用"固态功率放大+电真空器件放大"级联的功率放大技术,实现了0.14THz频段W量级的功率输出。接收端采用全固态常温接收技术,接收机等效噪声温度为1100K,接收灵敏度达到-57dBm。采用两个增益50dBi的卡塞格伦天线,在成都市双流区与新津县之间开展了距离21km的无线通信试验,单路实时通信速率达到5Gbps,误码率低于10^(-6)。并成功同时实时传输了两路符合HD-SDI标准的无压缩高清视频数据流,每一路的标准有效速率达到1.485Gbps。

摘要：基于GaN横向肖特基势垒二极管（SBD）的频率特性和应用的需要,设计了一种基于AlGaN/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了AlGaN势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结Al_xGaN_（1-x）/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD器件截止频率随Al摩尔组分的增加先增大再减小,当Al_xGaN_（1-x）层中Al摩尔组分为0.2~0.25,其厚度为20~30 nm时,AlGaN/GaN SBD器件的频率特性最好。在仿真的基础上,设计制作出了肖特基接触直径为2μm的非凹槽和凹槽型AlGaN/GaN横向空气桥SBD。通过直流I-V测试和射频S参数测试,提取了两种SBD器件的理想因子、串联电阻、结电容、截止频率和品质因子等关键参数,该平面SBD可应用于片上集成和混合集成的太赫兹电路的设计与制造。

摘要：作为低频段混频电路中的典型拓扑结构,基尔伯特单元在毫米波、太赫兹领域的应用较少,在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单片微波集成电路(MMIC)设计中,超过100 GHz的基尔伯特混频器很少有文献报导。基于70 nmGaAsmHEMT工艺,设计了一款120 GHz的双平衡式基尔伯特混频器,同时对该混频器版图结构进行优化改进,提升了混频器中频差分输出端口间的平衡度。仿真结果显示该混频器在本振输入0 dBm功率时,在100～135 GHz频率范围内有(-7.6±1.5) dB的变频损耗,射频输入1 dB压缩点为0 dBm@120 GHz,中频输出带宽大于10 GHz,差分输出信号间的功率失配<1 dB,相位失配<4°。该芯片直流功耗为90 mW,面积为1.5 mm×1.5 mm。

摘要：基于GaAs 0.1 μm pHEMT工艺,设计了一款工作在0.1~0.14 THz的小型化定向耦合器芯片。采用加载开路枝节线的方式提高传输线的等效电长度,进而实现电路结构的小型化;利用曲折线的方式构成开路枝节线,使得耦合器的物理尺寸进一步缩小。采用电磁仿真软件仿真表明,所设计的小型化定向耦合芯片中心工作频率为0.12 THz,相对带宽大于30%,带内的回波损耗高于20 dB,带内插入损耗小于1 dB,耦合度为(10±0.5) dB,带内隔离度大于20 dB,直通端口与耦合端口相位差为90°±3.5°,其尺寸为0.21 mm×0.19 mm(不计Pad尺寸)。