摘要：海盐杭州湾智能制造创新中心位于国家中欧合作试点的浙江省海盐县,项目基地背靠海盐城,面朝大海,距离海岸最近处只有不到800m,因此它可能是目前中国距大海最近的园区,这也成为该项目最大的区位特色。本园区处于城市与大海两种不同肌理的过渡段,一边是城市的秩序感,一边是大海的变化感,如何使园区与城市及大海在肌理上顺畅衔接、自然转换.

摘要：针对电子厂房内涂布设备结构楼板的微振动控制问题,提出了设备安置处楼板动刚度精细化控制方法。首先,对已建厂房内涂布设备所在基础楼板的振动速度响应及动刚度进行实测分析,确定设备满足其容许振动标准条件下的楼板需求动刚度;其次,建立楼板结构动力有限元模型,研究模型结构尺寸与动刚度计算值的差异;最后,通过计算获得满足涂布设备容许振动标准的楼板结构设计尺寸,并进行了工程验证。研究结果表明,涂布设备运行状态下1/3倍频程最大振动速度幅值对应的中心频率点为40 Hz或50 Hz,且在35.5~44.7 Hz频率范围对楼板需求动刚度要求最高。

摘要：集成电路超纯水制备系统的精处理工艺段提供了微污染控制的保障环境。在痕量污染控制环境下,以铂族金属为代表,构建金属纳米粒子对氢氧合成反应的复相催化体系,可以实现多元微污染物的联合降除,进而满足3nm制程超纯水制备系统溶解气体和痕量氧化剂的控制要求。研究阐述和总结了氢氧合成反应的四种反应机制和催化作用机理,重点讨论了金属表面结构、活性位点、形貌尺寸、合金组分、载体性质、液相反应环境对各反应途径催化活性及选择性的密切影响,形成了洁净水相氢气氧化反应的边界条件,对于金属纳米粒子在超纯水领域的应用研究具有导向意义。

摘要：目的构建失智照护领域知识图谱,为下一步基于知识图谱的智能应用提供基础和保障。方法采用自顶向下的方法构建失智照护领域知识图谱。首先从顶层开始构建本体概念,即知识图谱的模式层构建。之后进行实例填充,从已有数据源中进行知识抽取,将抽取的实体、关系等填充到模式层本体库中,完成知识图谱的数据层构建。最后将“实体-关系-实体”三元组数据输入Neo4j图数据库进行存储。结果以1012例失智个案的个性化照护方案集为知识来源,构建失智照护领域知识图谱。该知识图谱以失智老年人为核心,围绕基本特征、照护问题、照护方案以规范的“实体-关系-实体”三元组格式的数据形式逐一展开,形成一张巨大的知识网络,共包含1522种失智照护知识实体及8种实体间关系。结论该研究构建的失智照护领域知识图谱清晰、直观地展示了知识图谱的全局谱系及知识的逻辑路径,为失智照护知识浏览、检索、应用提供了高效智能的基础保障,从而实现失智老年人的个性化、智能化管理,突破专业人员不足的瓶颈,改善失智老年人的健康结局,推动普惠型养老服务落地实施,促进健康老龄化。

摘要：高层建筑暖通空调是一项极其重要的设计内容,需重点关注其设计要点。在充分预测常见问题的前提上,制定有效的预防及解决预案,这对暖通空调的设计工作提出了规范要求,设计人员必须严格按照设计原则进行设计。文章在阐述高层建筑暖通空调系统设计类型及基本原则的基础上,深入分析了设计中常见的问题,并提出了优化措施,以期为高层建筑暖通空调设计提供参考。

摘要：半导体制造工厂的机台数量配置对产线的生产效率具有重要影响,然而传统机台配置方法不能将时间维度和复杂派工策略统筹考虑,难以量化评估机台配置对产能的影响,容易出现投资浪费、产能不足、空间布局不合理等问题。在Plant Simulation仿真软件中建立半导体制造执行系统(MES)实时派工机制,模拟工厂的真实运行状态,同时提出了一种机台配置的优化算法。将此方法用于某半导体工厂的设备配置,有效提升了产能及设备利用率,为半导体及其他行业的机台配置提供借鉴和参考。

摘要：简要介绍芯片生产的工艺、流程及关键技术。从总体布局、建筑设计两个层面阐述国家存储器基地项目(一期)的设计思考,在满足工艺需求的基础上,建筑师可以通过建筑立面、厂房外部色彩的处理体现工业建筑之美。深入挖掘项目分期实施策略、建筑消防设计特征及空间管理概念。

摘要：伴随着“互联网+”“5G”时代的来临,智慧养老院将成为养老机构未来发展的趋势。本文通过对智慧养老院的发展现状和趋势进行深入分析,提出智慧养老院测试评价标准框架。该标准框架涵盖了智慧入住管理、智慧餐饮管理、智慧健康管理、智慧生活照护管理、智慧安全防护等多个方面,为智慧养老院的评价提供了有力的理论支持和实践指导。

摘要：近年来,随着智慧养老行业的快速发展,高质量的软件开发对智慧养老行业来说显得尤为重要,而软件测试作为智慧养老行业全生命周期中重要一环,在产品质量上扮演着重要角色。本文首先分析了智慧养老行业软件测试的特殊性,给出了测试方法,对于保证智慧养老行业软件产品的质量具有很好的应用价值。

摘要：随着当代信息技术的快速发展,5G通讯、大数据和数字化办公等诸多领域的崛起正改变着我们工作和生活的方方面面,数据与存储之间密切的关系促进了对大容量存储器的需求。基于3D NAND闪存的新型存储设备以成本低、存储密度大的优势迅速占领了存储市场。本文以3D NAND代表技术之一X-tacking技术为研究对象,基于通用工艺流程方法对3D NAND器件的工艺制程、高深宽比刻蚀工艺的原理及特点进行分析,并对高深宽比刻蚀工艺中不同堆叠层数与大质量惰性气体氙气(Xe)需求量之间的关系进行了研究,为集成电路产线设计和工程建设提供参考依据。