摘要：该文设计了一种超宽带桥T型模拟线性化器,对其进行了详细的理论分析和模型仿真。该模拟线性化器的核心电路由T型衰减器和PIN二极管构成,可以实现幅度扩张和相位压缩,具有偏置电路简单、输入输出端口驻波良好等优点。结合理论分析和仿真设计,设计制作的0.8~2 GHz桥T型模拟线性化器能够实现幅度扩张约5 dB,相位压缩18°。

摘要：针对星地复杂环境下空间光学频率信号稳定度评估的需求,设计基于微波时频传递链路的双向时差测量系统.利用内置激光器对光学频率信号光纤传递链路进行相位漂移检测并补偿,控制光频信号传输时延;基于马赫-曾德尔干涉仪结构进行光学本振合成,提高射频信号质量;通过分时复用实现对通道载波多普勒频率牵引和相位跟踪,实现高精度测量.地面测试结果表明该系统可实现测量系统附加频率稳定度5.07×10^(-14)s/1 s,5.31×10^(-16)s/300 s,2.36×10^(-17)s/1×10^(4)s,7.46×10^(-18)s/8.64×10^(4)s.

摘要：研究了开关电源数字控制存在的时间延迟、A/D转换的分辨率、PWM的分辨率和采样保持等问题,提出了一种考虑回路时间延迟和采样保持的逆变器精确数学模型,基于该模型设计了逆变器的控制传递函数,并对数字控制的时间延迟对控制性能的影响进行了理论分析和仿真研究,在500VA 210VDC/115V 400Hz逆变器样机上进行了实验,对控制传递函数设计的有效性进行了验证。

摘要：轻型钢结构已在全国迅速推广使用,但在设计与施工中有些问题仍需重视。为此,根据工程设计与施工中的经验发表几点看法,供大家探讨,以求提高轻型钢结构的工程质量。

摘要：针对告警接收机测量结果错误导致电子战相控阵的干扰波束无法对准目标问题,提出了一种基于宽波束的电子战相控阵使用方式,利用遗传算法设计了可以覆盖干扰空域的阵列方向图,对宽波束的干扰效能进行了分析。结果表明,在告警接收机出现测向误差大、虚警、型号识别错误等异常情况下,基于宽波束的电子战相控阵仍然可以正常工作,提高了设备可靠性。另外,针对宽波束发射增益下降导致的烧穿距离扩大问题,提出了提高阵列通道功率、根据距离远近切换工作模式等使用建议。

摘要：航天侦察是一种高价值战略资源,每一轨侦察数据都极其珍贵。研究星地一体协同侦察定位应用模式,发挥天地协同侦察体系效益,以充分挖掘卫星侦察数据的潜在价值。文中给出了星地协同侦察定位应用模式,在不同侦察构型场景下的定位特点分析,星地一体协同定位构型选择以及简洁地定位解析解算算法,并设计了仿真试验进行定位精度分析。结果表明星地一体协同侦察定位技术能够实现目标精确定位应用。

摘要：提出一种工作在6~18 GHz的温补均衡器的一体化设计方法,该均衡器的核心电路由温度补偿电路、幅度均衡电路及3 dB电桥构成。温度补偿电路与幅度均衡电路采用一体化设计,可以提高在系统中的集成度。同时利用3 dB电桥的隔离特性,改善温补均衡器的输入输出驻波。测试结果表明,所加工的温补均衡器在6~18 GHz频段范围内能够实现3~5 dB的幅度均衡量、6 dB的温度补偿。

摘要：为研制可靠的高温超导微波组件设计了可靠性试验,研究了高温超导微波组件常用的微波混合集成电路工艺,如锡铅钎焊、共晶焊接和金丝焊接等在超导温度下的可靠性。结果表明:在经历温度循环、机械冲击、变频振动和恒定加速度试验后,所研究的工艺能满足GJB548B—2005的相关要求,其中锡铅钎焊的试样可以通过1×10–9Pa.m3/s的泄漏率要求,设计的环境试验对80Au-20Sn共晶焊接性能无显著影响。

摘要：高精度时间频率的产生和超高精度时频信号的传递是现代物理学、天文学和计量科学的基础,中国空间站高精度时频科学实验系统已随“梦天舱”成功发射,标志着我国天地融合、立体交叉的国家时频系统建设迈出了关键一步。介绍了高精度时频科学实验系统项目的基本情况以及微波时频传递链路的研究进展,重点阐述了高精度时频系统微波传递链路的信号体制设计,基于提出的信号体制设计了同频+三频两种微波时频传递链路比对模式并给出了钟差比对模型,最后通过仿真及在轨实测数据分析表明设计的微波时频传递链路可实现亚皮秒级伪距测量精度。

摘要：提出了一种基于支节加载GaN-FET的大功率、低插损、超低功耗移相器。该移相器的核心电路由多节高阻抗微带支节线以及支节末端加载的GaN-FET管芯构成。通过对单支节加载GaN-FET移相器电路模型的详细分析,得到了移相器的插损和相移表达式,并将其作为基本单元进行拓展可得到满足所需工作带宽的多支节加载GaN-FET移相器。由于采用了高阻抗微带线支节,该移相器具有大功率处理能力。结合理论分析,对多支节加载GaN-FET移相器进行了设计、加工和测试。测试结果表明,所加工的移相器在9.2~9.8 GHz范围内,通过控制GaN FET的关断实现了30°和60°两种相移状态。同时,移相器功率承受能力大于10 W,插损优于1 dB,控制电流小于6μA。