摘要：硅压阻式OEM型压力芯体被广泛应用,但该封装结构的传感器在使用时需要二次设计引压接嘴和装配。提出了传感器改变了这一传统设计,将隔离膜片、引压接嘴及基体等一体化焊接,结构简单,装配环节少,成品率高,大大降低了产品的生产成本。试验结果表明:该传感器的性能达到了目前同类产品的水平。给出了该设计的具体结构形式、芯片的选用原则及各主要零部件的设计准则和注意事项。

摘要：针对现有液滴检测方法可靠性低、准确度不高等问题,设计了一种基于LabVIEW的液滴检测与分析方法。采用了金属网格原理的检测装置,克服了其他原理对环境及安全性要求高的缺点,实现了液滴有无的检测;采用了FPGA模块结合LabVIEW软件,实现了液滴的实时在线检测以及定量测量。结果表明,该方法的液滴检测准确率可达到85%以上,具有高精度、高稳定性、直观以及实时性好等优点。

摘要：针对大型振动台模型试验中存在的位移测量问题,采用光学非接触测量的方法设计了一种相对位移传感器,其准确度为10μm,频率响应为0～100Hz。并在某管道跨越工程地震模拟振动台试验中与其它传感器相比对,实验验证结果表明:该传感器的主要技术指标完全满足设计要求。

摘要：文中介绍了一种基于振动电容式静电传感器的设计原理,以S08处理器为控制核心,利用静电场对电荷产生静电场力以及振动电极在激励电压下产生虎克弹力的合力作用下建立了数学模型,在经过对原始信号的运算放大,A/D转换以及嵌入式μC/OS多任务操作系统的管理下,提高了单片机的工作效率。通过将被测物理量可以转化为微弱电流变化的特点,实现了以非接触式的测量方法来标定所在区域的静电场强度。

摘要：基于纳米多晶硅薄膜电阻的多功能传感器由压力传感器和加速度传感器构成。纳米多晶硅薄膜电阻构成的两个惠斯通电桥结构分别设计在方形硅膜表面和悬臂梁根部。采用MEMS技术和CMOS工艺在〈100〉晶向单晶硅片上实现压力/加速度传感器芯片制作,利用内引线技术将芯片封装在一个印刷电路板(PCB)上。在室温下,工作电压为5.0V时,实验结果给出压力传感器灵敏度(a=0)为1.0mV/kPa,加速度传感器灵敏度(p=0)为0.92mV/g,可实现外加压力和加速度的测量,具有较好的灵敏度特性且交叉干扰较弱。

摘要：为了解决水下声学传感器技术领域中一直存在的提高低频响应灵敏度方面的迫切需求,本文利用氮化铝新型氮化铝敏感材料与声传感器设计技术相结合进行了声学传感器设计技术研究。开展了基于MEMS微结构的弯曲振动声敏感模式、力敏特性与压电敏感特性耦合、电荷信号提取电极设计等相关技术验证研究,完成了氮化铝MEMS声传感器测试芯片的工艺与版图设计及加工与制作。通过样品测试分析,在典型检测电极上分别得到了0.61、1.12、1.64μV/Pa的单电极声压灵敏度和平坦的低频频率响应曲线,验证了基于ALN薄膜、采用弯曲振动模式的MEMS声敏感芯片设计可以实现低频高灵敏度声传感器。

摘要：基于差分电容原理和MEMS技术,设计了一种低噪声MEMS电容式加速度传感器.该加速度传感器包括一个敏感芯片和一个采用变送集成技术的信号调理电路.通过优化敏感芯片的结构和低噪声的信号调理电路相结合,制作出加速度传感器.利用MEMS技术制作的微结构封装的加速度传感器经过测试,验证了该传感器具有高灵敏度,高分辨率和低噪声特点.

摘要：电子产品的使用者希望产品在工作寿命内尽可能少发生甚至不发生故障。制造者为了确保电子产品的可靠性,必须针对产品作一系列的可靠性试验。介绍了HALT试验的目的、优点及发展现状,通过实际的HALT试验阐述了试验剖而设计及被试验产品工作极限的确定方法,并给出试验结论,为同类产品的可靠性设计提供了依据。

摘要：针对法布里—珀罗干涉型压力传感器进行光学解调技术研究,采用以双折射光楔为核心的白光偏振干涉系统对传感干涉系统进行解调,利用不同尺寸光楔设计对比实验并进行加压检测,确定传感系统与解调系统匹配的具体设计方法。

摘要：介绍了一种基于硅基MEMS敏感结构的光学式声传感器,对其工作原理及设计进行了分析与研究,尤其是对感声膜结构,提出将波纹结构引入到传统硅基平膜芯片中,利用MEMS技术制作具有低应力波纹结构的感声薄膜芯片,并制作传感器样品。经样品测试,灵敏度达30 mV/Pa。