摘要：提出一种新的变速箱电路的设计方法。在不降低变速箱两边数据传输比特率的前提下,使用电路中固定时钟源产生两个基础时钟,再通过这两个基础时钟组合成变速箱的输入时钟和输出时钟。其中组合后的时钟周期是不均等的,但是其平均周期值是定值,确保变速箱两边的传输比特率相等,从而解决在传输过程中数据的重复或者丢失问题,实现两边不同数据位宽的正确转换,可以广泛用于10 Gbps以太网的物理层收发器中的变速箱电路。

摘要：模拟电路工作在低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决的首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用的模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述了一种在0.13μm、1.2 V CMOS工艺下实现的基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够在1.2 V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。

摘要：随着体硅CMOS电路工艺的不断缩小,数字电路在空间中使用时受到的单粒子效应越发严重。特别是高频电路,单粒子瞬态效应会使电路功能完全失效。提出了一种基于电路尺寸计算的抗单粒子瞬态效应的设计方法,主要思想是通过辐射对电路造成的最坏特性,设计电路中MOS管的尺寸,使电路在系统开销和降低软错误率之间达到一个平衡。从单粒子效应电流模型入手,计算出单粒子效应在电路中产生的电荷数,得出为抵消单粒子效应产生的电荷需要多大的电容,再折算到器件电容上,最终得到器件的尺寸。此工作为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴。

摘要：为解决视频图像处理系统中图像数据量大且对实时性要求高的问题,设计以TMS320C6713为核心的实时视频图像处理系统,利用EDMA控制器实现图像数据的高速传输。着重阐述了EDMA的实现方法及其软件的设计,采用乒乓缓冲技术协调数据搬移与CPU数据处理的节奏,从而满足了视频图像处理系统的高速实时性要求。

摘要：为满足集成电路中高电源抑制比/低温度系数的要求,设计了一款没有运放的精简的带隙电压电路。相比传统有运放结构,电路芯片面积更小且具有更低的电流损耗。并在0.5μm CMOS工艺下进行了仿真,仿真结果表明,在-40℃^+100℃温度范围内电路的温度系数为17×10-6,电源抑制比PSRR在100 k Hz以下达到-50 d B,在1 k Hz以下能达到-80 d B,而整个电路在3.3 V电压下电流损耗仅为24μA。

摘要：文章对部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺源漏电阻产生影响的四个主要因素采用二水平全因子实验设计[1],分析结果表明在注入能量、剂量、束流和硅膜厚度因素中,硅膜厚度显著影响P+源漏电阻,当顶层硅膜厚度充分时,P+源漏电阻工艺窗口大。实验指出注入能量未处于合理的范围,导致源漏电阻工艺窗口不足,影响0.8μm SOI工艺成品率。通过实验优化后部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻达到小于200Ω/□,工艺能力显著提高到Ppk>2.01水平,充分满足部分耗尽0.8μm SOICMOS工艺P+源漏电阻需求。

摘要：目前,开关电源以小型、轻量和高效率等特点被广泛应用于几乎所有的电子设备,电源系统通常被称为"心脏系统",有着其他系统不可比拟的重要地位。随着科学技术的发展,各种用电装备系统对于电源的要求也越来越高,电源组件直接影响着装备系统的体积、重量和可靠性。文章以一个小型化隔离型双路输出DC/DC变换器作为设计实例,通过对实际电路的分析,详细说明其工作原理及主要器件的取值或计算方法。

摘要：Cache能够提高DSP处理器对外部存储器的存取速度,提高DSP的性能,设计高性能低功耗的Cache,对于提高DSP芯片的整体性能有着十分重大的意义。描述了DSP芯片中一种高性能低功耗的数据Cache。这种Cache可以通过增加具备重装功能的Line Buffer来减少处理器对Cache的访问频率,从而降低Cache功耗。通过FFT、AC3、FIR三种基准程序测试表明,Line Buffer可以降低35%的Cache访问频率,明显降低了数据Cache功耗。

摘要：随着整机单位对电路尺寸及国产化的要求越来越高,数字信号处理微系统的需求显得尤为迫切。数字信号处理微系统不仅要求做到物理空间的缩小,更要保证整体性能的提升以及应用的简单化。数字信号处理微系统可以从SoC功能芯片、高可靠陶瓷/塑封基板3D-SiP封装等多个方面实现。但由于其成本高、周期长等缺点,严重影响了数字信号处理微系统的快速发展。通过设计实例,介绍了一种通过成品电路二次封装的方法,既解决了成本及周期的问题,又实现了小型化的目标。

摘要：文章对电路抗辐射的机理进行了研究,提出了几种提高数字电路抗辐射能力的方法:通过工艺控制减小辐射后的背栅阈值电压漂移,通过版图增加体接触、采用环型栅等结构提高单元的抗辐射能力,通过对电路关键节点的加固提高整体电路的抗辐射能力。为了验证加固方法的可靠性,设计了一款电路进行抗总剂量、抗瞬态剂量率、抗中子辐射、抗单粒子辐射等多种试验。通过辐照试验结果可以看到,采用抗辐照方法设计的电路具有较强的抗辐照能力,为今后抗辐照电路的研制和开发奠定了坚实的基础。