摘要：BRAM以阵列的方式排布于FPGA内部,是FPGA实现各种存储功能的主要部分。FPGA通过BRAM以及可编程逻辑资源给用户提供各种不同的存储资源。介绍了FPGA其中可编程存储模块BRAM36k的具体功能以及实现方法。该模块支持多种地址和数据位宽纵横比组合、多种读接口和写接口数据带宽转换,支持奇偶校验bit写入和读出。最后对模块的功能进行了功能级仿真验证,仿真结果符合预期设计目标。

摘要：随着我国电子信息技术水平在国际领域的不断提高,在面临来自美国等电子设计领域强国的频繁挑衅背景下,近年来,我国在集成电路设计方面具备自主可控能力已迫在眉睫。本文阐述了国产ADC\DAC的测试原理方法,重点讲述基于Labview和FPGA构建的通用测试平台的高速ADC测试方法,实现了快速、高可靠、低成本的辅助测试系统。最后,使用本系统对国产化器件进行测试,并给出了测试结果。

摘要：温度检测是芯片和系统中经常需要的功能,温度检测电路的应用非常广泛。文章详细分析了与温度成正比（PTAT）电压的产生原理,并以此原理为基础设计了一种基于双极工艺的温度检测电路,电路的设计输出电压与温度成正比。通过使用Cadence Spectre仿真工具对电路的功能进行仿真,结果表明该电路在-40℃~120℃内能正常工作,输出的检测电压与温度呈比较精确的正比关系,偏差仅为0.01V。

摘要：文中介绍了印制电路板上电磁干扰辐射产生的主要原因,并对其产生的机理进行了详细的研究和分析,得出了能够减少电磁干扰的几种方法。在印刷电路板设计中,对单面板的线路板迹线的阻抗和PCB布线的分析以及对双层PCB板的设计分析,基本保证了印制电路板的质量与可靠性,并减小了电磁干扰的影响。最后,通过对地线网络、地线面、输入输出地的结构、地线布线规则等几种接地方式进行较为详细的研究与分析,得出了进一步减小电磁干扰的方法。

摘要：通信电源及分布式电源主要由前级高频整流器、中间级电池组和后级DC/DC变换器组成。DC/DC变换器的输入部分通常采用大功率Boost变换器,以将前级与中间级的直流电压提升至一定的幅度,从而更方便地形成所需提供给负载的各种电压。Intel CPU广泛用于IT工业,其对电源的要求越来越严格,需要提供更低的电压、更大的电流及更快的动态响应。为了改进Buck类型电压调整模块(Voltage Regulator Module,简称VRM)的动态响应要求,广泛使用多相交错并联技术,以实现快速的动态响应且极大地降低输出电流纹波。文章以一个大功率的四相交错并联Boost变换器作为设计实例,详细说明了其工作原理及主要器件的设计与选用;论证了该项技术用于Boost DC/DC变换器的多种优点,从而证明了多相交错并联技术的先进性和实用性。

摘要：传统的结深测试方法有:汞探针电容法、扩展电阻法、染色SEM法等,上述方法都具有相应的优点和局限性,本文介绍另外一种通过侧面结电容测试结深的方法,它可以嵌入电路中进行对任何一步工序后的结深监控,也可以在流片完成后对最终的结深进行监控,相比传统测试方法,它的突出优点是不具有破坏性,并且可以设计成一种PCM测试结构进行监控。

摘要：设计了一种应用于反熔丝OTP存储器的灵敏放大器电路,该电路采用电压型灵敏放大,通过严格的读控制时序,该灵敏放大器能够准确无误地读出并锁存反熔丝存储单元的存储状态。电路结构简单、功耗低、电阻识别精度高、抗干扰能力强。仿真验证表明,在典型条件下,整个灵敏放大阶段仅需要8 ns,且满足在不同工作电压及温度条件下的工作需求。

摘要：从“硅技术是否已出现新的发展态势?”、“推动技术进步的模式是否在演变?”和“在这些演变中我们要注视些什么?”三个方面,探讨主流半导体技术(硅技术)发展阶段特点及其创新走向。分析指出,电子系统设计将在下一波硅技术进步中起着重要的作用,并以此为依据,讨论中电科技集团公司发挥综合优势,在我国电子技术领域中,发挥应有的主力军作用。

摘要：VPX总线标准具有带宽高、实时性强、拓扑结构灵活、通用性强、抗恶劣环境能力强等优点,代表着新一代军用综合信息处理平台系统的发展方向[1]。设计一种基于VPX标准的6U信号处理系统,该系统提供了高带宽,支持串行Rapid IO以及PCIE等高速数据传输,为数据的高速交换提供了可能,满足了现代雷达、图像等信号处理系统对带宽和数据处理能力的要求。

摘要：CMOS工艺制成的ASIC电路在太空中应用时,在辐射效应的影响下可能导致数据出错,影响整个系统的可靠性。在ASIC电路的抗辐射设计时,最关注的是时钟(CLK)驱动电路受辐射效应的影响。为此,文章分析了深亚微米工艺条件下CLK电路受到单粒子瞬态扰动效应(SET)的影响,为消除SET效应对CLK电路的扰动提出了四种加固方案,且分别介绍了四种方案的加固原理。通过对四种方案的抗辐射性能进行比较,得出在对ASIC时钟电路加固时,需要考虑功耗、延时等因素而采用不同策略。此工作为以后研制抗辐射ASIC电路提供了良好的借鉴和基础。