摘要：文章对三极管版图结构和器件特性关系进行了研究,设计了5种常规的纵向NPN管结构,从电流能力和寄生电阻两方面讨论了不同结构的差异和优劣。认为单基极接触结构比双基极接触结构具有更优的电流能力;集电极电流和发射极面积AE并不是按照比例线性增大,尤其在大注入时,集电极电流增大明显低于AE的增大;相同面积的马蹄形结构发射区放置在周围具有更大的AE和电流能力;这些结构在寄生电阻表现上各有优劣。讨论了基极和集电极接触方式差异对三极管电流性能的影响,对电路版图设计提出建议。讨论了EB隔离方式对三极管放大倍数HFE的影响,指出多晶隔离EB结构具有更大的HFE,尤其在小注入时表现显著。通过对这些结构的分析,还提出电流能力更优的梳状结构的版图布局。

摘要：随着信息科学和产业的发展,集成电路为人们广泛应用。在今天的超大规模集成电路特别是在系统芯片SOC设计中,将大量存储器嵌入在片中的设计方法已经非常普遍。存储器的测试是集成电路测试一个十分重要的内容。V93000集成电路测试系统是一款可扩展型平台,它集合了数字测试、模拟测试和射频测量等资源。可针对各种高集成度的电子产品组件进行晶圆测试(Wafer Sort)及终程测试(Final Test)。就利用V93000测试系统(ATE)的MTL工具产生存储器功能测试码的方法进行阐述,分析了与传统生成功能码方式相比,MTL具备灵活、占内存小、实现方便等特点。

摘要：随着航空航天事业的发展,器件的抗辐照性能变得越来越重要,因此对抗辐照指标的应用测试已显得至关重要。基于FPGA和NI工控机,设计四通道数据采集测试系统,用于监测FIFO SRAM单粒子实验中发生的单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)效应。采样率可达50 MHz,对器件的读写频率达10 MByte/s。该系统可实现对FIFO SRAM单粒子试验过程的远程测控。在监测单粒子翻转的过程中,既监测存储器的SEU效应,又监测了读写指针的SEU效应,并经过实际的单粒子效应测试验证了本系统的可靠性。

摘要：高可靠集成电路普遍采用陶瓷封装。但是陶封电路内部的空封结构易导致键合线在受到外界机械冲击后引起相邻键合线短接。因此在设计阶段对键合线的选择、布线布局设计、键合工艺参数优化以及封装后的引线抵抗外界应力的能力显得尤为重要。在高速摄像机摄像和电学判定组合方法的基础上,提出一种改进型的键合线短路判定方法。该方法实时对所有被测CQFP228封装的FPGA电路端口进行判定。试验证明,该方法可以大大提高判定评估准确率,降低判定步骤。

摘要：随着晶圆测试技术的发展,晶圆级传输线脉冲(TLP)测试逐渐由封装级向晶圆级转移,晶圆级TLP测试的出现不仅降低了设计成本,同时大大缩短了ESD保护结构的评价周期。针对晶圆级TLP测试方法尚无标准可依的现实情况,结合理论推导过程,从线路搭建、设备校准、结果确认等关键点探索可行而有效的晶圆级TLP测试方法。

摘要：提出了一种内置失效保护功能的高速低压差分信号（Low Voltage Differential Signaling,LVDS）接收电路。该电路不仅解决了传统电路结构在电源电压3 V或更低时不能满足LVDS标准规定的输入共模电压范围内（0.05~2.35 V）稳定工作的问题,而且还可以直接作为LVDS接口电路的输入级使用,节省了外接保护电路。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺模型库,用spectre进行仿真,在输入共模电压范围内工作稳定,传输速率达到1 Gbps。

摘要：随着集成电路制造工艺的不断进步,沟道长度、结深、栅氧厚度等特征尺寸不断减小,而电路的电源电压没有按比例减小,易造成MOSFET的电流-电压特性退化,需要提前在设计阶段加以考虑。对电路长期可靠性问题中的热载流子效应(HCI)进行了仿真研究。

摘要：WAT(Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前对wafer进行的最后一道质量检验。随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,离子注入、干法刻蚀、干法去胶、UV辐射、薄膜淀积等都可能会引入等离子体损伤,而常规的WAT结构无法监测,可能导致器件的早期失效。设计了新的针对离子损伤的WAT检测结构,主要是缩小了栅端面积,在相同天线比的情况下天线所占面积呈几何级下降,使得评价结构放置在划片区变得可能。

摘要：SSD(Solid State Disk)的技术特性和传统磁盘不同,当前操作系统的设计和优化假定的存储是传统磁盘,使得传统存储系统没有完全发挥SSD的优势。研究SSD存储系统优化技术,考虑如何充分利用SSD的技术特性提高存储系统性能,为将来实现面向SSD的高性能存储系统打下了基础。

摘要：高速接口通常采用差分信号实现,LVDS接口可以满足高速信号传输,对具备LVDS接口芯片的测试方法与单端信号的测试有较大差别。描述了如何使用UltraFlex测试系统进行LVDS接口芯片的测试方法,包括通道分配、测试接口板设计和相关测试设置等内容。此方案已经应用于800 Mbps多路LVDS输入和输出接口的测试。