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类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制: 收藏
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引用; 《功能材料与器件学报》2002年第3期8卷 293-296页; 作者：冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室上海200050 华东师范大学电子科学与技术系上海200062; 采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达...; 采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。; 来源：详细信息评论

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