摘要：硅基电子器件在高温、高功率、射频领域应用时面临热管理的挑战。为解决其散热和射频损耗问题,采用微转印技术在常温常压下将单晶硅薄膜转移至金刚石衬底上,制备出新型集成电路材料——金刚石上硅(SOD)。实验结果表明,转移的单晶硅薄膜表面平整、无明显损伤,保持了其原有的完整性。透射电子显微镜的观察结果进一步显示,金刚石与硅之间的界面结合紧密,不存在纳米级间隙。界面热阻测试结果显示,SOD样品的有效界面热阻(R_(EI))为30.30m^(2)·K/GW,明显优于SOI样品的R_(EI)(376.78m^(2)·K/GW)。该研究验证了SOD材料在热管理方面的潜力,也为未来新型硅基器件的设计与应用提供了参考。

摘要：本文设计了一种非对称双开口环超表面结构的狄拉克半金属太赫兹谐振器,并研究分析了结构参数与费米能级对共振幅度的影响。研究结果表明,随着对称缺损程度的增加,谐振器的共振峰逐渐红移,共振幅度呈现先增加再减少的趋势。随着狄拉克半金属材料费米能级的增加,谐振器的共振峰幅值增加。当费米能级在40-200meV时范围变化时,在0.38 THz附近实现了99.4%的幅值调制深度,在太赫兹波调控方面有很好的应用价值。

摘要：垂直GaN-SBD需要采用终端结构缓解阳极边缘电场集中现象,进而提高击穿电压。场限环终端结构可有效实现上述功能,但消耗的芯片面积较大,降低了一定面积晶圆上器件的数量。针对这一问题提出了场限环-场板复合终端结构,利用场板分散场限环边缘的电场,从而在保持器件击穿电压的同时减少场限环数量,减小器件的面积。通过TCAD仿真系统地研究了场限环-场板复合终端结构对垂直GaN-SBD击穿电压及阳极边缘附近的电场分布情况的影响。仿真表明,当维持相同的击穿电压(1700V),复合终端结构所需的场限环数量可减少2个,终端面积减小16.47%,而且阳极边缘的电场强度明显降低。