摘要：静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅体接触场效应晶体管器件的6晶体管静态随机存储器单元.该L型栅体接触器件遵循静态随机存储器单元中心对称的版图特点,使得存储单元面积相比于采用同器件尺寸的T型栅体接触器件的静态随机存储器单元减小约22%.文中对比研究了L型栅体接触器件与其他场效应晶体管之间的电学性能差异,以及基于不同场效应晶体管静态随机存储器单元的漏电流和读状态下静态噪声容限随辐射总剂量增加的变化规律.测试结果表明, L型栅体接触器件与T型栅体接触器件的器件性能接近,但前者具有面积更小的优势;同时基于L型栅体接触场效应晶体管的静态随机存储器单元的基本电学性能以及抗总剂量辐射效应均优于传统基于浮体场效应晶体管的静态随机存储器单元,因而具有稳定可靠的实用价值.

摘要：描述了商用Xilinx Virtex-II Pro器件的重离子辐射实验,以评估器件的单粒子翻转(SEU)特性并检验测试方法的有效性。针对器件不同的功能模块设计不同的实验方案,分别测试了FPGA配置信息,内嵌PowerPC处理器和RocketIO Gbit收发器的单粒子翻转截面,并对观察到的错误进行分析与分类。实验同时表明配置信息的周期刷新和三模冗余设计是减轻单粒子效应的有效方法。

摘要：静态随机存储器(SRAM)的单粒子微闩锁(mSEL)现象可能引起星载计算机运行崩溃,威胁整星运行安全.传统的闩锁电流检测方法难以发现mSEL,国内外研究成果至今没有给出令人满意的具体可行的星上mSEL检测方案,也没有航天工程应用实例.根据SRAM发生mSEL时的错误簇现象,设计了基于EDAC编解码的mSEL检测方案,介绍了软硬件架构,提出了两种检测策略并研究讨论了其性能.其中遍寻策略实现简单、性能稳定,随机搜索策略实现开销大,在某些场景中90%,检出率的要求下,检测速度达到遍寻策略的8.5倍.本文提出的方法能够提高空间应用中SRAM器件可靠性,降低由mSEL引发的系统失效概率.

摘要：随着我国高速铁路网的大规模扩张,原有的铁路无线接入技术在数据传输速率方面已经不适应新的通信业务需求,因此在铁路通信系统的无线接入专网中引入宽带无线通信技术已经成为必然趋势。结合高速铁路的通信业务需要,根据CTCS列控数据传输标准对铁路通信系统的QoS保障要求,分析比较了当前宽带无线通信协议中的几种接入网架构,并设计了高铁宽带无线通信接入网架构。

摘要：在Si基Si O2材料上设计并制作了中心波长为1.55μm、通道间隔为0.8nm的8×8阵列波导光栅(AWG)。详细介绍了器件的设计、制作和测试,并对测试结果及工艺误差进行了深入的分析讨论。封装后的测试结果显示,器件的3dB带宽为0.22nm;中央通道输入时,最小和最大插入损耗分别为4.01dB和6.32dB;边缘通道输入时,最小和最大插入损耗分别为6.24dB和9.02dB;对比不同通道输入时输出通道的中心波长,其偏移量低于0.039nm;器件的通道间串扰小于-25dB;偏振依赖损耗(PDL)小于0.3dB。

摘要：分析传统相变存储器读出方法读取速度受限的原因,提出一种预充电读出方法.该方法将本地位线充电到预充电电压后开始读取数据.预充电电压设置在第一参考电压和第二参考电压的中间值.第一参考电压为读取最高晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压,第二参考电压为读取最低非晶态电阻值的存储器件时的本地位线电压.采用SMIC 40nm CMOS工艺进行设计和仿真,1-Mb相变存储器的随机读取时间为6.64ns;Monte Carlo仿真表明,最长随机读取时间为9.07ns.传统读出方法的随机读取时间和最长随机读取时间分别为45.36ns和128.1ns.晶态单元读电流是4.84μA.仿真结果表明,所提方法比传统方法能更好地抑制工艺角、电源电压和温度波动.

摘要：讨论了一种USB发射机和数传发射机功能上互为备份的冗余设计,提高了测控数传功能的可靠性,为卫星工程的备份冗余设计提供了一个新的思路,该设计通过星载软件状态切换的方法实现。该方法已成功应用于某卫星测控数传模块的设计。

摘要：概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题。

摘要：我国未探明的矿产资源基本分布在深部矿或隐伏矿中,为提高常用磁法探测的深度和精确度,采用灵敏度为f T量级的超导量子干涉仪作为磁传感器则是目前最理想的解决方案。本文针对在无磁屏蔽环境中,尤其是航空平台,如何能在满足超导地球物理勘探设备的动态范围和电磁兼容要求的前提下最大程度地发挥SQUID灵敏度优势的问题,在国内首次将图形化系统设计平台应用于低温超导地球物理勘探中,并基于Compact RIO和PXI的可重配置平台和丰富的信号采集控制模块,利用NI Lab VIEW开发出一套适用于超导地球物理勘探的图形化测控生态系统,实现了多通道f T量级磁场的同步数据采集与分析,从而有效地保障了国家深部探测专项的实施。

摘要：针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固。流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10-12,与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列。对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作。