摘要：介绍了用MCM D技术研制的 8mm芯片集成接收机的设计方法及系统实现 .用AgilentADS软件进行了系统仿真 ,给出了接收机仿真与实测结果 ,测得接收机增益为 2 0 .2dB ,接收灵敏度为 - 92dBm ,噪声系数接近 5dB .

摘要：针对SoC的高可靠性和低功耗的设计要求,分析了动态电压与频率调节技术对系统功耗、温度和软错误率的影响,构建了SoC的可靠性和功耗的协同优化设计模型,提出了可靠性和低功耗协同设计的新方法,并通过考虑可靠性的动态电压与频率调节调度算法进行了仿真,验证了算法的有效性和可行性.结果表明,在可靠性降低5%的情况下,可节省约15.99%的功耗.

摘要：毫米波通信系统因为带宽宽和易于小型化的特点被广泛应用于卫星通信中,基于提高多载波卫星毫米波通信系统容量的链路支持性优化面临诸多性能指标权衡的难题,如:降低上行EIRP需求,提高转发器功率利用率,增强链路稳健性等,将多目标优化思想引入到毫米波卫星通信系统的支持性优化模型,提出一种约束多目标免疫算法(Constrained Nondominated Neighbor Immune Algorithm,C-NNIA),并进行了相应的建模、仿真和优化.表明该算法可获得优于传统直接求解(Direct Search,DS)算法和基于单目标可变邻域搜索(Variable Neighbourhood Search,VNS)算法的Pareto最优解,且算法具有更好的约束处理能力、多样性保持能力以及快速收敛特性.最后,通过对最优解集的设计变量以及性能度量参数的统计和分析,获得了具有指导性的设计参考.

摘要：基于Maxwell方程组在坐标变换下的协变性,利用柱坐标变换以及开口谐振环周期排列而形成的超材料设计了一个工作于10.14GHz频率下的隐形结构.采用一种新型快速实验方案测量微波信号强度.实验结果表明在外围增加了隐形结构之后,圆柱金属的阴影和散射效应都被削弱,得到了预期的隐形效果.该实验系统降低了系统的结构复杂性并缩短了实验周期,为该领域的研究提供了一种新的简单有效的实验方案.

摘要：MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以及不断满足电路设计新要求,MOSFET集约模型经历了长时间的发展。从模型的基础出发,介绍了基于阈值电压Vth、反型层电荷Qi和表面势Φs这三类MOSFET集约模型的发展历程及其主要特征。

摘要：提出了一种改进型螺旋微带谐振单元(SCMRC)的结构.该改进型螺旋微带谐振单元具有微带并联开路线,在低频通带内通过设计达到50Ω的端口阻抗.同时,并联的微带开路线在SCMRC结构的禁带中谐振,来实现更强的慢波效应和更宽的禁带.实际设计、制作和测试了该改进型螺旋微带谐振单元,该滤波器在低频通带内具有低插入损耗、改善的回波损耗,以及在较小面积下的宽禁带.

摘要：微带超晶格在磁场和太赫兹场调控下表现出丰富而复杂的动力学行为,研究微带电子在外场作用下的输运性质对于太赫兹器件设计与研制具有重要意义.本文采用准经典的运动方程描述了超晶格微带电子在沿超晶格生长方向(z方向)的THz场和相对于z轴倾斜的磁场共同作用下的非线性动力学特性.研究表明,在太赫兹场和倾斜磁场共同作用下,超晶格微带电子随时间的演化表现出周期和混沌等新奇的运动状态.采用庞加莱分支图详细研究了微带电子在磁场和太赫兹场调控下的运动规律,给出了电子运行于周期和混沌运动状态的参数区间.在电场和磁场作用下,微带电子将产生布洛赫振荡和回旋振荡,形成复杂的协同耦合振荡.太赫兹场与这些协同振荡模式之间的相互作用是导致电子表现出周期态、混沌态以及倍周期分叉等现象的主要原因.

摘要：针对大规模随机部署传感器网络的节点密度不均匀性和不同应用对事件监测时延的不同需求,为提供全网可调的监测时延保障,设计了面向事件监测应用的全网能耗均衡的自适应分布式感知调度协议(ADSSP),仿真结果表明:相对于随机感知调度协议,ADSSP能获得更低的平均监测时延,在满足相同的平均监测延迟的前提下延长了30%的网络生存时间。

摘要：本文对LEO小卫星突发数据通信系统中载波恢复环路的误捕获现象进行了分析与计算机仿真 ,并根据分析与仿真的结果提出了一种实用的抗误捕获设计方法 .本文的分析结果在实际系统测量中得到了验证 ,对于类似系统的抗误捕获设计与分析有一定的实际意义 .

摘要：详述了单片超高速2G bps G aA s 4b it数模转换器(DAC)的设计、制造及测试。在南京电子器件研究所标准76 mm G aA s工艺线采用0.5μm全离子注入M ESFET工艺完成流片。芯入输入输出阻抗实现在片50Ω匹配。4 b it DAC的微分非线性(DN L)为±0.22最低有效位(LSB),积分非线性(IN L)为±0.45LSB,达到5.2 b it的转换精度。该单片电路提供差分互补输出,长周期输出特性无漂移。其最高转换速率可达2 G bps,建立时间小于250 ps,电路核心部分功耗为110 mW。