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检索条件"机构=中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室"
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具有高光学传输效率的FT—IR磁光光谱仪
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红外与毫米波学报》1993年 第4期12卷 271-274页
作者:刘普霖 史国良 王培刚 陈敏挥 陆卫 朱景兵 刘卫军 沈学础中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所上海200083 
采用一种新的设计方案,研制、组装成一套具有高光学传输效率的傅里叶变换红外磁光光谱测试系统。介绍了该系统的结构和特点,并给出了检验的结果和典型的磁光光谱。
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可见光隐身涂料设计
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物理学报》2004年 第9期53卷 3215-3219页
作者:徐文兰 张栓勤 徐怡中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083 总装工程兵科研一所无锡214035 
根据颗粒粒径与波长相比的不同情形 ,分别用粗粒子理论、细粒子理论和桥理论求得颗粒的光散射系数和吸收系数 ,从而得到含颗粒涂料的漫反射率 .讨论了涂料参数如黏结剂和颗粒的光学常数、颗粒粒径和体积比等对漫反射率的影响 .并以含钛...
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新型的AlGaN/PZT材料紫外/红外双波段探测器
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红外与激光工程》2009年 第2期38卷 210-212,255页
作者:张燕 王妮丽 孙璟兰 韩莉 刘向阳 李向阳 孟祥建传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所上海200083 红外物理国家实验室中国科学院上海技术物理研究所上海200083 
提出了一种可以同时同位置探测紫外和红外信号的新型探测结构,分析了该结构的合理性,并对器件工艺进行了设计、分析和验证,制备出了AlGaN/PZT原型器件。该结构以AlGaN多层材料和PZT复合薄膜为基础,利用AlGaN宽禁带半导体的本征吸收和铁...
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拓展临近效应由纳米连接制备亚20nm金属Nanogaps(英文)
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《Journal of Semiconductors》2008年 第9期29卷 1666-1669页
作者:孙艳 陈鑫 戴宁中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083 
描述了一种拓展电子束光刻中的临近效应来制备特征尺寸在亚20nm的金属Nanogap的方法.结合图形转移过程(如去胶等),利用临近效应灵活有效地制备了金属(如Au或者Ag等)Nanogap结构及其阵列.采用GDSII软件设计图形,以电子束光刻为手段制备Na...
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GeSi/Si多量子阱光波导模特性分析和吸收层结构设计
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红外与毫米波学报》1998年 第3期17卷 203-208页
作者:李娜 李宁 陆卫 沈学础 李国正 刘恩科中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室 西安交通大学电子工程系 
根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程,分析了在以GeSi/Si多量子阱为波导芯、Si为覆盖层的光波导结构中.Ge含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影...
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