摘要：对一种 CMOS/ SOI6 4Kb静态随机存储器进行了研究 ,其电路采用 8K× 8的并行结构体系 .为了提高电路的速度 ,采用地址转换监控 ( Address- Translate- Detector,ATD)、两级字线 ( Double- Word- L ine,DWL)和新型的两级灵敏放大等技术 ,电路存取时间仅 40 ns;同时 ,重点研究了 SOI静电泄放 ( Electrostatic- Discharge,ESD)保护电路和一种改进的灵敏放大器 ,设计出一套全新 ESD电路 ,其抗静电能力高达 42 0 0— 45 0 0 ***6 4KbCMOS静态存储器采用 1.2 μm SOI CMOS抗辐照工艺技术 ,芯片尺寸为 7.8m m× 7.2

摘要：介绍了部分耗尽型 SOI　MOS 器件浮体状态下的 Kink 效应及对模拟电路的影响。阐述了 4 种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型 SOI　MOS 器件 Kink 效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型　SOIM O S F E T 工作在浮体状态下时模拟电路的设计方法。

摘要：随着集成电路制造业的飞速发展,传统的设计方法越来越受到严峻的挑战.每年设计技术的进步大约滞后制造技术20%.在器件的特征线宽进入深亚微米以后,这个矛盾显得越发的突出.主要表现在系统的集成度越来越高,使得单个芯片的复杂度成倍提高,随之而来的是设计周期无限期增加,时序的收敛问题更加棘手.从而使得IC的设计不能满足制造的需要.为了弥和这两者之间的鸿沟,一系列崭新的设计方法被提了出来.本文将试图就未来几年中IC设计方法学及其工具的发展中的某些热点问题作一些探讨.

摘要：面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享一个灵敏放大器,数据通过共享的灵敏放大器依次串行读出,这样既节省了面积,又降低了读操作的功耗。基于0.18μm标准CMOS工艺设计实现了存储容量为1 kbit的存储器芯片,该存储器的核心面积为0.095 mm2,并完成了实测。实测结果表明,电源电压为1.2 V,读速率为1 Mb/s时,功耗为1.08μW;写速率为3.2 kb/s时,功耗为44μW。

摘要：为了提高无源超高频(UHF)射频识别(RFID)标签的灵敏度和增大工作距离,设计了一种高灵敏度的ASK解调器。在该解调器的包络检波电路中,采用了开启电压补偿技术,以减小电荷传输管的导通压降;并设计了一种无二极管无电阻的参考电平产生电路。基于0.18μm标准CMOS工艺实现了该解调器,其芯片面积为0.010 mm2,满足第2代第1类UHF RFID通讯协议(EPC C1G2)的要求。测试结果表明,当载波频率为900 MHz、调制深度为80%~100%、数据率为26.7~128 kbit/s时,解调器能够解调信号的能量强度范围为-16^+20 dBm。在工作电压为0.8 V时,其功耗仅为0.56μW。

摘要：设计了一种电流控制型软开关变换器电路，电路采用普通PWM芯片设计完成，未采用复杂的相移原理，因此结构简单。而且，此原理既可用于全桥电路也能用于推挽电路。文中给出了理论分析和实验结果，

摘要：本文介绍了一种基于ROF技术的多制式、宽频带的光发射模块的研制方案.该模块采用数字光模块的QSFP接口实现多通道传输,通过L型电阻匹配网络实现软硬板之间的阻抗匹配,并且对模块链路中存在的信号完整性问题利用全波仿真工具(HFSS)进行了优化设计与研究.测试结果表明,该方案可以保证在DC-6GHz保证很好的增益平坦度.