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基于DBFNN的后推设计及其在电力系统励磁控制中的应用
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《电子学报》2004年 第11期32卷 1766-1769页
作者:时海涛 安冬中国科学院半导体研究所神经网络实验室北京100083 
本文采用后推设计算法为一类严格反馈系统设计了基于方向基函数神经网络 (DBFNN)的自适应控制器 .在后推算法中的每步都引入一积分型的Lyapunov函数来设计一个虚拟控制器 ,并在最后一步为闭环系统综合设计了神经网络控制器 .网络权值的...
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弹性弯曲支承计算机辅助设计
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《仪器仪表学报》1991年 第2期12卷 180-185页
作者:高维滨中国科学院半导体研究所 
弹性弯曲支承,因无摩擦、无间隙而广泛的应用于陀螺仪、火箭控制喷口,精密仪器中约有数千种应用。本文偏重于它在高精度平移台及测角头中的应用,用它构成的平移台精度可达10^(-11)~10^(-12)m,测角头转角精度则可达10^(-3)s。尽管弹性...
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SOI阵列波导光栅的设计与制作
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《光电子.激光》2004年 第Z1期15卷 218-220页
作者:方青 邱海军 李芳 刘育梁中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 
本文讲述了基于SOI材料的5×5阵列波导光栅(AWG)的设计与器件的制作.设计结果显示,通过选择合适的波导结构可以有效地减小器件的偏振特性;采用合适的弯曲半径,不但可以减小器件的损耗,而且可以降低器件的串扰.器件的测试结果表明,...
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光子存储单元的光伏效应
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《红外与毫米波学报》2004年 第3期23卷 205-207页
作者:卞松保 李桂荣 唐艳 胡冰 李月霞 杨富华 郑厚植中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 
报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ Ⅴ特性上的响应 .当单元偏置在光存储模式下 ,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃 .利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应 ,验证了“开关”光电流下降沿主要反映...
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针对一种多模式逻辑单元结构FPGA的工艺映射
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《计算机辅助设计与图形学学报》2009年 第10期21卷 1375-1380页
作者:张琨 周华兵 陈陵都 刘忠立中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心北京100083 
结合FPGA设计的特点,提出一种可灵活配置的多模式FPGA逻辑单元结构及对其进行工艺映射的工具VMAP.该工具中除了采用一般的工艺映射算法外,还结合逻辑单元结构特点提出了专门的合并优化算法.该算法基于图的最大基数匹配,将部分查找表进...
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用于802.11p的低功耗紧凑型FFT处理器的研究
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《电子科技大学学报》2015年 第5期44卷 680-683页
作者:曹晓东 石寅 张雪莲 张强中国科学院半导体研究所北京海淀区100083 
符合802.11p协议标准的基带与射频芯片是车载无线宽带通信系统的核心,其性能直接决定了车载无线宽带通信系统的性能。快速傅里叶变换(FFT)处理器是决定无线基带芯片性能的核心电路,该文通过分析FFT算法的特点,设计了一种用于802.11p的...
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非侵入性呼吸声阻抗频谱测定仪的研制
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中国生物医学工程学报》1992年 第4期11卷 239-251页
作者:孔繁亮 德波幸戈中国科学院半导体研究所 瑞士联邦高等工业大学 
本文介绍评价呼吸声阻抗频谱测定仪的设计与研制,其特点是利用伪随机噪声覆盖感兴趣的测试频率,从而快速、非侵入性和准确地完成呼吸声阻抗(包括呼吸系阻力与肺动态顺应性)测量。由于该技术具有使受试者处于自然呼吸状态下进行无创性...
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基于可见光通信的一对多视频广播系统
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《光电子.激光》2016年 第9期27卷 923-929页
作者:李慧宇 陈雄斌 李洪磊 毛旭瑞 陈弘达中国科学院半导体研究所北京100083 
利用自主研发的软硬件搭建了基于可见光通信(VLC)的一对多视频广播系统。通过传输流(TS,transport stream)音视频数据流解决了通信信道不可靠的问题,通过广播流量控制算法和控制指令的设计解决了多媒体数据广播传输时服务器和客户端速...
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群法及其在LSI/VLSI自动布图设计中的应用
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《Journal of Semiconductors》1989年 第11期10卷 833-839页
作者:俞明永 马佐成 庄文君中国科学院半导体研究所 
本文系统、深入地研究了LSI/VLSI自动布图设计中的群法问题.引入了一系列新的概念:如稳定群、稳定群的级、绝对封闭群等.得出并证明了稳定群的一些重要性质.本文认为,历史上群法中一种非常重要的评价参量,群强度,是不可靠的,并成功地用...
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大功率氮化镓基LED关键技术研究
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《Journal of Semiconductors》2005年 第Z1期26卷 165-169页
作者:马龙 伊晓燕 郭金霞 王良臣 王国宏 李晋闽中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 
对大功率氮化镓基LED的关键技术,尤其是大芯片LED的结构设计,p电极的选择与制备,提取效率的提高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论.
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