限定检索结果

检索条件"机构=中国科学院半导体研究所"
874 条 记 录,以下是61-70 订阅
视图:
排序:
基于InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管生长及发光性能
收藏 引用
《光子学报》2013年 第10期42卷 1135-1139页
作者:赵玲慧 张连 王晓东 路红喜 王军喜 曾一平中国科学院半导体研究所照明研发中心北京100083 
对基于InGaN/GaN量子阱的蓝绿双波长发光二极管的材料生长和发光性质进行了研究.通过设计生长多组具有不同参量的外延结构,获得了优化的双波长量子阱结构参量,指出量子阱位置的分布、蓝绿阱间垒的宽度以及材料构成对量子阱发光性能均有...
来源:详细信息评论
慢光在光子晶体弯折波导中的高透射传播
收藏 引用
《物理学报》2008年 第11期57卷 7005-7011页
作者:杜晓宇 郑婉华 张冶金 任刚 王科 邢名欣 陈良惠中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京100083 
研究了慢光模式在SOI(silicon-on-insulator)材料光子晶体线缺陷弯折波导中的传输特性.通过优化波导弯折处的结构参数,慢光模式在光子晶体60°与120°弯折波导中的透射率提高10倍以上,归一化透射率分别达到80%和60%以上.为了进...
来源:详细信息评论
复杂背景下多姿态人脸快速检测算法
收藏 引用
《计算机辅助设计与图形学学报》2004年 第1期16卷 45-50页
作者:曲延锋 李卫军 徐健 王守觉中国科学院半导体研究所神经网络实验室北京100083 
通过对图像进行预处理 (似眼物检测 ) ,不但缩小了人脸检测的搜索空间 ,而且将复杂背景下多姿态多人脸检测简化为在候选区域内 ,已知大致的人脸尺度情况下正面端正单人脸检测问题 ,并结合多模板匹配与规则验证完成了人脸区域的最后确定
来源:详细信息评论
LD多灰度数字驱动的非线性测量与校正系统
收藏 引用
《光电子.激光》2010年 第2期21卷 249-251页
作者:杨晨 崔国新 黄寓洋 张耀辉 杨辉中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215125 
在多灰度数字驱动中,P-N结伏安特性是造成LD数字输入编码与输出光功率间产生非线性关系的原因,为了避免非线性对实际应用的影响,设计了测量这两者关系的可编程系统。以此测量数据为基础,根据查表算法,系统还能对非线性进行校正。实验中...
来源:详细信息评论
窄发散角量子阱激光器的结构设计与分析
收藏 引用
《Journal of Semiconductors》1996年 第7期17卷 500-505页
作者:杨国文 徐俊英 张敬明 徐遵图 陈良惠 王启明中国科学院半导体研究所 
本文对GaAs/AlGaAs量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析,提出了实现20°~30°垂直发散角的有效途径,并同时研究了对激光器的光功率限制因子、阈值电流密度等重...
来源:详细信息评论
AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
收藏 引用
《Journal of Semiconductors》2005年 第Z1期26卷 147-150页
作者:冉军学 王晓亮 王翠梅 王军喜 曾一平 李晋闽中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 
对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频...
来源:详细信息评论
用于高速CIS的12-bit紧凑型多列共享并行pipeline-SAR ADC(英文)
收藏 引用
《红外与激光工程》2018年 第5期47卷 187-196页
作者:郭志强 刘力源 吴南健中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学北京100049 
设计了一款用于高速CMOS图像传感器的多列共享列并行流水线逐次逼近模数转换器。八列像素共享一路pipeline-SAR ADC,从而使得ADC的版图不再局限于二列像素的宽度,可以在16列像素宽度内实现。该模数转换器采用了异步控制逻辑电路来提高...
来源:详细信息评论
大功率倒装结构GaN LED p电极研究
收藏 引用
《Journal of Semiconductors》2005年 第Z1期26卷 161-164页
作者:伊晓燕 马龙 郭金霞 王良臣 李晋闽中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院半导体研究所北京100083 
从接触电阻、反射率、电流扩展等方面对Ni/Au/Ag,ITO/Ag,Ag等多种倒装结构p电极金属体系进行分析比较,给出了实现倒装结构大功率GaN LED p电极的多种设计方案.指出Ni/Au金属化体系在大功率LED应用中存在的热稳定性问题及Ru,Ir等新型金...
来源:详细信息评论
基于红外光谱技术的经皮二氧化碳分压检测仪的设计原理与可行性研究
收藏 引用
中国生物医学工程学报》1992年 第3期11卷 186-198页
作者:孔繁亮 C.Depeursinge中国科学院半导体研究所 
本文介绍了根据红外光谱技术设计与研制成功的经皮二氧化碳分压(tcPco_2)监护仪的实验样机。此样机由经皮二氧化碳红外光探测器,红外光纤和经皮二氧化碳分压分析仪等几部分组成。我们认为:采用CO_2光学传感器的经皮血气检测仪连续、无...
来源:详细信息评论
射频能量AC/DC电荷泵的MOS实现研究
收藏 引用
《物理学报》2005年 第5期54卷 2424-2428页
作者:姚远 石寅中国科学院半导体研究所人工神经网络实验室北京100083 
在射频能量AC/ DC的能源转换实现研究中提出一种采用低阈值MOS管构成的高效电荷泵 .新方案消除了现有的肖特基二极管高效电荷泵制作工艺特殊、批次性能不够一致的缺陷 .分析表明 ,通过有机调整MOS管宽长比、器件电容、充电级数等设计参...
来源:详细信息评论
聚类工具 回到顶部