摘要：提出了一种基于0.5μm5VCMOS工艺的低噪声PWM调制D类音频功率放大器。该放大器在5V电源电压下以全桥方式可以驱动4Ω负载输出2.5W功率;转换效率等于87%,信噪比达94dB(负载8Ω,输出功率1W);THD+N仅0.05%(负载4Ω,输出功率1W);PSRR为68dB(频率1kHz)。分析了整体电路结构及其线性化模型,并着重介绍了高性能前置斩波稳定运算放大器(开环增益117dB,等效输入噪声16μ***-1/2),线性三角波振荡电路(斜率偏差仅±0.2%)和功率器件、驱动电路的设计。最后给出了D类放大器的测试结果。

摘要：提出了一种可驱动H桥功率电路的电荷泵．为了简化电路设计和确保电路稳定性，本电荷泵采用两倍压电荷泵电路拓扑结构，通过加入两路反馈控制电路来提高电荷泵充电电流和输出电压值的控制精度以及电源转换效率．设计采用0．35μmBCD工艺，通过CadenceSpectre仿真器表明，在负载电流为5mA条件下，电荷泵正常工作时输出电压范围广（10＊40V），电源转换效率最高达到91％，输出电压建立所需时间为579μs．样片实测结果显示，在不同输入电压条件下，输出电压纹波控制在385mV以下．

摘要：提出了一种降低高频噪声的前置全差分放大器.运放内部采用了两组偏置电路,一组用于单位增益缓冲器电路,一组用于放大电路.为了确保电路稳定性又不增加设计难度,将单位增益缓冲器电路与共模反馈回路结合起来.设计采用HHNEC 0.18μm BCD工艺,Cadence Spectre仿真表明,正常工作时共模反馈的环路增益84.93dB,单位增益带宽9.52MHz,相位裕度67.62°;启动时单位增益缓冲器电路的环路增益85.18dB,单位增益带宽8.93MHz,相位裕度67.2°;关断时,单位增益缓冲器电路的环路增益63.26dB,单位增益带宽2.28MHz,相位裕度88.66°.实测表明,设计降低了D类音频功放在开启和关断时的噪声.

摘要：基于先进的0.35μm BCD工艺,对传统欠压保护电路缺点进行分析,设计实现了一种可应用于电机驱动芯片的欠压保护电路。电路结构简单,不需要额外的带隙基准电路,同时也省去了电压比较器电路。特别地,电路考虑了器件的温度特性,减少温度变化对电路的翻转阈值和迟滞量的影响。通过使用Cadence Spectre工具进行电路仿真,结果表明电路工作正常,当电源电压降低到2.7 V时,输出低电平,当电压重新上升到2.83 V时,输出恢复到高电平,迟滞量为0.13 V,具有迟滞功能。

摘要：设计实现了一种用于D类音频功率放大器中的自动增益控制系统,通过自动调整D类功放的增益,增大了D类音频功放的输入信号范围,避免了削波失真,使得D类音频功放能够在较宽信号输入范围内保持良好的总谐波失真（THD）,且不影响输出功率。该集成了自动增益控制系统的2.5 W单声道D类音频功放已经采用0.5μm CMOS工艺实现。测试表明,在电源电压5 V、功放增益18 dB、负载4Ω的条件下,该D类音频功放能够在0-2.3Vrms的信号输入范围内保持总谐波失真加噪声（THD＋N）〈2%,最大输出功率2.1 W。

摘要：利用内部VDD/2基准电压产生恒定电流对电容进行充放电控制,实现了一种应用于D类功放的CMOS电流控制线性三角波发生器。理论推导和spectre仿真验证结果显示,其振荡频率与电源电压无关,而波形峰峰值随电源电压线性变化,且对结温变化、工艺漂移不敏感。电路采用CSMC0.5μm5V双阱双多晶硅CMOS工艺,测试结果表明该三角波稳定性、线性度良好。

摘要：基于传统的带隙基准电路结构,设计了一种实用的结构简单的带隙基准电路,为音频功率放大器提供基准电压,同时设计一启动电路,能快速地使基准电压建立。设计采用0.18μm 1P4M BCDMOS工艺,电源电压是音频功率放大器中低压差线性稳压器输出的3.3 V。Cadence Spectre仿真表明,tt模型下,室温输出1.264 17 V,不同工艺角模型下,温度在-40～150°C内变化,基准电压有5%的偏差。

摘要：为满足集成电路中低功耗/低温度系数的要求,基于负反馈钳位原理,采用分段线性补偿技术,通过在高低温度段分别插入非线性电流修正项对基准进行了曲率补偿,得到一种新型的无需运放的曲率补偿电流模式带隙电压基准源。仿真得到典型工艺下电路在室温27℃,工作电压4.5V下输出电压1.25062V,工作电流小于38μA,功耗小于170μW。在-40～+150℃。宽温度范围内,基准电压在1.25018～1.25086V之间变化,温度系数约为2.86ppm/℃。