摘要：通过分析单计算机的BP神经网络学习和执行算法,提出了使用PVM构造多计算机的并行神经网络。该并行神经网络的实现灵活应用于高可靠性和大规模数据的分析和处理中。同时,该BP神经网络的并行设计与实现,可广泛应用于其他神经网络模型的并行计算机实现。

摘要：采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6～5.3μm之间,而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列,获得了良好的电学性能,该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级,而-0.5 v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为,器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表面漏电流.

摘要：介绍了在北京同步辐射生物大分子线站1W2B上新建立的稳定性监测系统的结构和初步应用结果。该系统利用优化设计的双刀片型束流位置监视器(BPM,beam position monitor)和双丝型BPM,结合荧光靶、电离室、荧光探测器等装置,对实验期间光束线的前端区、束线段和样品处三个环节的同步光变化情况进行监测,并及时发现入射光不稳定的来源。另外,通过该系统还得到插入件内电子轨道的变化情况,为北京同步辐射装置建立轨道慢反馈调节系统提供了重要依据。

摘要：半导体制冷器具有微型化、轻量化、无振动、长寿命等许多重要优点。目前３００Ｋ室温下优值系数Ｚ最高的半导体制冷材料是ｐ型Ａｇ０．５８Ｃｕ０．２９Ｔｉ０．９４Ｔｅ四元合金，２００～３００Ｋ普冷范围内三元Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ３固溶体合金仍然应用最广且性能优良，而２０～２００Ｋ低温下则是Ｂｉ－Ｓｂ合金热电性能最好。电臂材料是决定半导体制冷器性能的主要因素，但通过改进电臂结构，设计特殊的电臂联接方式，同样能显著提高半导体制冷器的性能，同轴环臂温差电对和“无限级联”温差电对，已被试验证明可明显提高最大制冷温差。利用高温超导（ＨＴＳＣ）材料代替ｐ型半导体材料制成被动式ｐ型臂，将为低温半导体制冷器开辟一条新的道路。

摘要：提出了利用微小楔角剪切干涉仪测量同步辐射压弯准直镜姿态的方法。利用透镜和针孔产生与同步辐射发散度相同的激光束。通过剪切干涉仪,测量经压弯准直镜输出激光束的平行度,可将准直镜的位置、俯仰角度和镜面曲率皆调整到最佳。该剪切干涉仪结构简单,可根据条纹图样判断光束的平行度,每一幅干涉条纹图样与准直镜的一种姿态对应,因而这种方法能确定准直镜表面各点反射X射线的整体效果。该方法适用于测量波前曲率半径大竖直口径小的光束,不但精度高,而且具有实用价值。

摘要：针对面阵帧转移CCD探测器,深入研究分析其工作原理。为满足视频应用的需求,结合CCD探测器驱动电平要求和输出信号的基本特征,设计了相应的前端电路,保证探测器稳定工作,实现其高性能。试验结果表明:该信息获取电路设计满足视频相机系统工作要求,并具有集成度高、噪声小、功耗低、稳定性好的特点。

摘要：介绍一种基于面阵CCD传感器件的航空多光谱数字相机系统的设计和实现 ,该系统的核心部件是 10 2 4× 10 2 4像元的面阵CCD相机 ,系统采用更换滤光片的方法来获得针对不同应用的最佳多波段组合 ,解决了多相机曝光参数实时控制、多相机同步触发、多通道高速数据采集、图像数据高速记录等问题 ,集成GPS系统 。

摘要：钩端螺旋体去甲酰化酶(Leptospira interrogans PDF)是一种重要的含锌金属蛋白酶,对钩端螺旋体这一广泛存在的致病菌的蛋白合成起着关键的催化作用,是一个很好的药物设计靶蛋白．本文测试了LiPDF在pH3．0的溶液状态下的X射线吸收近边结构(XANES：X-Ray Absorption Near-Edge Structure)谱,利用以从头计算(***)的多重散射(Multiple Scattering)为基础的MXAN方法确定金属蛋白活性中心的精细结构．研究发现结合合适的初始结构模型,可以更好地重现LiPDF蛋白的XANES曲线,从而能够得到更加准确的结构参数．活性中心的精细结构为理解LiPDF的pH依赖的催化活性提供了结构基础．

摘要：MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布式压控开关阵列一毫米波相移器在35GHz时,启动电压5V,20V时相移量达到372°/3.5 mm,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量。

摘要：在讨论Ｈｏｐｆｉｅｌｄ模型和ＩＰＡ模型两种联相储神经网络上基础上，提出一种易于用ＶＬＳＩ实现的电路结构，可以构成上述两种形式的可编程联想存储器，并详细介绍了电路的结构和用于模式恢复的试验结果。