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980nm高功率锥形激光器巴条的制备及光电特性: 收藏
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引用; 《激光与光电子学进展》2016年第4期53卷 138-143页; 作者：吴涛郭栓银中国科学院苏州生物医学工程技术研究所半导体光电子技术研究室; 采用InGaAs/AlGaAs外延材料体系,设计和制作了980 nm高功率锥形半导体激光器巴条阵列。该锥形半导体激光器巴条的总长为10 mm,腔长为3 mm。对该巴条器件以及巴条上面的单芯片进行了一系列的光电性能测试,实验结果表明,巴条器件的阈值电...; 采用InGaAs/AlGaAs外延材料体系,设计和制作了980 nm高功率锥形半导体激光器巴条阵列。该锥形半导体激光器巴条的总长为10 mm,腔长为3 mm。对该巴条器件以及巴条上面的单芯片进行了一系列的光电性能测试,实验结果表明,巴条器件的阈值电流为10 A,斜率效率为0.8 W/A,最大转化效率为40%。在80 A电流下,巴条的输出功率可达55.6 W。发光点测试结果表明,巴条上面的20个单芯片全部激射出光。单芯片的光电测试结果表明,单管器件的阈值电流为0.5 A,最大光电转化效率为51%。在10 A电流时,单管器件的输出功率达7 W。连续光功率为5 W时,慢轴远场半峰全宽发散角为4.9°,光束质量传播因子M^2为4.6。; 来源：详细信息评论

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