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P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器: 收藏
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引用; 《中国激光》2021年第16期48卷 1-7页; 作者：姚中辉陈红梅王拓蒋成张子旸中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院安徽合肥230026 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 青岛翼晨镭硕科技有限公司山东青岛266000 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院江西南昌330200 长春理工大学理学院高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022; 1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点...; 1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力。; 来源：详细信息评论

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