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1.3μm场助TE光阴极In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP的能带计算及外延层的设计: 收藏
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引用; 《光子学报》1992年第1期21卷 73-78页; 作者：王存让郭里辉李晋闽侯洵张工力中国科学院西安光学们密机械研究所西安710068; 本文首先简述了1.3μm场助TE光阴极InP(衬底)/In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(光吸收层)/InP(发射层)/Ag/CsO的工作原理,并对其能带结构进行了计算,得到了In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(光吸收层)/InP(发射层)的势垒高度、掺杂、InP发射层厚度、组...; 本文首先简述了1.3μm场助TE光阴极InP(衬底)/In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(光吸收层)/InP(发射层)/Ag/CsO的工作原理,并对其能带结构进行了计算,得到了In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(光吸收层)/InP(发射层)的势垒高度、掺杂、InP发射层厚度、组份、渐变区宽度,偏压及耗尽层宽度间的定量关系。并由此出发,对光阴极各参数的设计进行了分析讨论。; 来源：详细信息评论

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