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新型寡聚噻吩的设计、合成及其光物理和电化学性质: 收藏
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引用; 《合成化学》2020年第8期28卷 666-671页; 作者：徐同乐曹皓商务云段泰男中国科学院重庆绿色智能技术研究院有机半导体中心重庆400714 中国科学院大学北京100049 西南大学化学化工学院重庆400715; 以3,4-二溴噻吩为底物,经6步反应合成了以烷基噻吩为共轭骨架,二氰基罗丹明为封端基团的两种新型寡聚噻吩(DC5T和DC7T),其结构和性能经1H NMR,13C NMR,UV-Vis,MS和CV表征。结果表明:DC5T和DC7T均在400~750 nm有较强吸收,吸收边界分别位...; 以3,4-二溴噻吩为底物,经6步反应合成了以烷基噻吩为共轭骨架,二氰基罗丹明为封端基团的两种新型寡聚噻吩(DC5T和DC7T),其结构和性能经1H NMR,13C NMR,UV-Vis,MS和CV表征。结果表明:DC5T和DC7T均在400~750 nm有较强吸收,吸收边界分别位于732 nm和740 nm。此外,两种新型寡聚噻吩均具有较深的最高占据分子轨道(HOMO)能级。; 来源：详细信息评论

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